[发明专利]一种绒面结构BZO/HGZO复合薄膜及应用

权利要求书

1.一种绒面结构BZO/HGZO复合薄膜，其特征在于：具有玻璃/绒面结构BZO/高电导率HGZO结构，其中BZO为B掺杂ZnO，即ZnO:B，BZO薄膜厚度为（800-2500）nm；HGZO为H化Ga掺杂ZnO，即ZnO:Ga/H，HGZO薄膜厚度为（200-800）nm 。

2.一种如权利要求1所述绒面结构BZO/HGZO复合薄膜的制备方法，其特征在于：利用MOCVD技术和磁控溅射技术相结合生长高迁移率绒面结构BZO/高电导率HGZO薄膜，由以下步骤实现：

1）利用MOCVD技术，用纯度为99.995%的二乙基锌（DEZn）和水作为源材料，氢稀释浓度为1%的硼烷B₂H₆作为掺杂气体，生长B低掺杂ZnO透明导电薄膜，掺杂剂流量百分比含量为（0.1-1）%，基片衬底温度为130-180℃；

2）利用磁控溅射技术，用纯度为99.99%的ZnO:Ga₂O₃陶瓷靶材作为溅射靶材，掺杂剂ZnO的重量百分比含量为（0.5-1.0）%，以及H₂作为气源材料，溅射气体采用Ar气体，生长高迁移率氢化镓掺杂ZnO（ZnO:Ga/H，HGZO）薄膜，玻璃基片衬底温度为25-250℃。

3.一种如权利要求1所述一种绒面结构BZO/HGZO复合薄膜的应用，其特征在于：应用于pin型μc-Si薄膜太阳电池和a-Si/μc-Si叠层薄膜太阳电池。