[发明专利]双极存储单元、包括其的存储器件及其操作和制造方法

权利要求书

1.一种存储单元，包括：

第一双极存储层；

第二双极存储层，连接到第一双极存储层，

其中，第一双极存储层和第二双极存储层具有相反的编程方向。

2.根据权利要求1所述的存储单元，其中，第一双极存储层的置位电压和复位电压分别是正电压和负电压，第二双极存储层的置位电压和复位电压分别是负电压和正电压。

3.根据权利要求2所述的存储单元，其中，第二双极存储层的复位电压大于或等于第一双极存储层的置位电压，第二双极存储层的置位电压大于或等于第一双极存储层的复位电压。

4.根据权利要求2所述的存储单元，其中，第一双极存储层的复位电压的绝对值大于或等于第一双极存储层的置位电压的绝对值，第二双极存储层的复位电压的绝对值大于或等于第二双极存储层的置位电压的绝对值。

5.根据权利要求1所述的存储单元，其中，第二双极存储层具有如下的结构，该结构与第一双极存储层的结构相同或者与第一双极存储层倒转的结构相同。

6.根据权利要求1所述的存储单元，还包括：

第一电极，第一双极存储层位于第一电极和第二双极存储层之间；

中间电极，位于第一双极存储层和第二双极存储层之间；

第二电极，第二双极存储层位于第二电极与第一双极存储层之间，

其中，第一双极存储层位于第一电极和中间电极之间，第二双极存储层位于中间电极和第二电极之间。

7.根据权利要求6所述的存储单元，其中，第一双极存储层包括第一基础层和第一有源层，第二双极存储层包括第二基础层和第二有源层，其中，第一基础层和第二基础层比第一有源层和第二有源层更靠近中间电极，或者第一有源层和第二有源层比第一基础层和第二基础层更靠近中间电极。

8.根据权利要求6所述的存储单元，其中，中间电极是离子源层，或者第一电极和第二电极是离子源层。

9.根据权利要求1所述的存储单元，其中，第一双极存储层和第二双极存储层中的至少一个包括金属氧化物。

10.根据权利要求9所述的存储单元，其中，所述金属氧化物包括从由氧化钛、氧化镍、氧化铜、氧化钴、氧化铪、氧化锆、氧化锌、氧化钨、氧化铌、氧化钛镍、氧化锂镍、氧化铝、氧化铟锌、氧化钒、氧化锶锆、氧化锶钛、氧化铬、氧化铁、氧化钽、Pr-Ca-Mn-O以及它们的组合所构成的组中选择的至少一种材料。

11.一种交叉点存储器件，包括：

多个第一电极，具有布线形状并被彼此平行地排列；

多个第二电极，具有布线形状并被彼此平行地排列，以与所述多个第一电极交叉；

第一存储单元，位于第一电极和第二电极之间的各个交叉点处，其中，第一存储单元是根据权利要求1所述的存储单元，第一双极存储层和第二双极存储层顺序地堆叠。

12.根据权利要求11所述的交叉点存储器件，其中，第一双极存储层的置位电压的符号与第二双极存储层的置位电压的符号相反，第一双极存储层的复位电压的符号与第二双极存储层的复位电压的符号相反。

13.根据权利要求12所述的交叉点存储器件，其中，第一双极存储层的复位电压的绝对值大于或等于第二双极存储层的置位电压的绝对值，第二双极存储层的复位电压的绝对值大于或等于第一双极存储层的置位电压的绝对值。

14.根据权利要求11所述的交叉点存储器件，其中，第一双极存储层和第二双极存储层具有单层结构或者多层结构。

15.根据权利要求11所述的交叉点存储器件，其中，第一双极存储层和第二双极存储层具有多层结构，第二双极存储层具有第一双极存储层倒转的结构。

16.根据权利要求11所述的交叉点存储器件，还包括位于第一双极存储层和第二双极存储层之间的中间电极。

17.根据权利要求16所述的交叉点存储器件，其中，中间电极是离子源层，或者第一电极和第二电极是离子源层。

18.根据权利要求11所述的交叉点存储器件，其中，第一双极存储层和第二双极存储层中的至少一个包括金属氧化物。