[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明系统有效
申请号: | 201110059408.2 | 申请日: | 2011-03-09 |
公开(公告)号: | CN102194951A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 郑明训;罗珉圭;丁圣勋 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/32 | 分类号: | H01L33/32;H01L33/20;H01L33/04;H01L33/36;H01L33/48;H01L33/62;H01L25/075;H01L33/00;F21S2/00;F21Y101/02 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 夏凯;谢丽娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 封装 以及 照明 系统 | ||
技术领域
本公开涉及发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。
背景技术
发光二极管(LED)是将电能转换为光的半导体器件。与诸如荧光灯和白炽灯泡的现有技术的光源相比,LED在诸如低功率消耗、半永久寿命周期、快速响应时间、安全、以及环保特性的许多方面是更加有利的。已经进行许多研究,以将现有的光源替换为LED,并且LED被日益用作诸如室内和室外灯的照明装置、液晶显示器、电子板、以及街灯的光源。
发明内容
实施例提供具有改进的结构的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。
实施例还提供具有提高的发光效率的发光器件和制造发光器件的方法。
在一个实施例中,发光器件包括:第一导电类型半导体层;在第一导电类型半导体层上的有源层;在有源层上的第二导电类型半导体层;未掺杂的半导体层,该未掺杂的半导体层设置在第二导电类型半导体层上并且包括多个第一孔;以及第三导电类型半导体层,该第三导电类型半导体层设置在未掺杂的半导体层上并且包括多个第二孔。
在另一实施例中,发光器件封装包括:主体;主体上的至少一个引线电极;以及发光器件,该发光器件电连接到引线电极,其中该发光器件包括:第一导电类型半导体层;在第一导电类型半导体层上的有源层;在有源层上的第二导电类型半导体层;未掺杂的半导体层,该未掺杂的半导体层设置在第二导电类型半导体层上并且包括多个第一孔;以及第三导电类型半导体层,该第三导电类型半导体层设置在未掺杂的半导体层上并且包括多个第二孔。
在又一实施例中,照明系统包括:板;发光模块,该发光模块设置在板上并且包括发光器件,其中该发光器件包括:第一导电类型半导体层;在第一导电类型半导体层上的有源层;在有源层上的第二导电类型半导体层;未掺杂的半导体层,该未掺杂的半导体层设置在第二导电类型半导体层上并且包括多个第一孔;以及第三导电类型半导体层,该第三导电类型半导体层设置在未掺杂的半导体层上并且包括多个第二孔。
在附图和下面的描述中阐述一个或者多个实施例的详情。从描述和附图,以及从权利要求书中,其它的特征将变得显而易见。
附图说明
图1是根据实施例的发光器件的截面图。
图2是示出图1的部分A的放大透视图。
图3至图5是根据实施例的用于解释制造发光器件的方法的视图。
图6是示出根据实施例的具有水平电极结构的发光器件的截面图。
图7是示出根据实施例的具有垂直电极结构的发光器件的截面图。
图8是示出根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图。
图9是示出根据实施例的显示装置的视图。
图10是示出根据另一实施例的显示装置的视图。
图11是示出根据实施例的照明系统的视图。
具体实施方式
在实施例的描述中,将会理解的是,当层(或者膜)、区域、焊盘或者图案被称为是在衬底、层(或者膜)、区域、焊盘、或者图案“上”时,它能够直接地在另一层或者衬底上,或者还可以存在中间层。此外,将会理解的是,当层被称为是在另一层“下”时,它能够直接地在另一层下,并且还可以存在一个或者多个中间层。另外,将会基于附图来描述术语“上”、或者“下”。
在附图中,为了便于描述和清楚起见,每层的厚度或尺寸可被夸大、省略、或示意性示出。此外,每个元件的尺寸并不完全反映实际尺寸。
在下文中,参考附图,将会描述根据示例性实施例的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。
图1是示出根据实施例的发光器件100的截面图,并且图2是示出图1的部分A的放大透视图。
参考图1和图2,当前实施例的发光器件100可以包括:衬底110;在衬底110上的缓冲层120;在缓冲层120上的第一导电类型半导体层130;在第一导电类型半导体层130上的有源层140;在有源层140上的第二导电类型半导体层150;未掺杂的半导体层160,该未掺杂的半导体层160设置在第二导电类型半导体层150上并且包括多个第一孔165;以及第三导电类型半导体层170,该第三导电类型半导体层170设置在未掺杂的半导体层160上并且包括多个第二孔166。
未掺杂的半导体层160的第一孔165和第三导电类型半导体层170的第二孔166可以具有号角形状或者截顶的号角形状。第一孔165和/或第二孔166可以具有相对狭窄的下部分和相对宽的上部分,或者第一孔165和/或第二孔166可以从下侧到上侧递增地变宽。号角或者截顶的号角形状的外部可以具有弯曲表面或者多边形表面。
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