[发明专利]晶片封装体及其形成方法

说明书

技术领域

本发明有关于晶片封装体，且特别是有关于具有穿基底导通结构(through-substrate via，TSV)的晶片封装体。

背景技术

近来，业界常于晶片封装体中形成穿基底导通结构以实现晶片的尺寸缩小化与多功能化。为进一步增进晶片封装体的功能性，需设法提升与穿基底导通结构连结的导电通路，使晶片封装体在持续缩小化之余，仍能具有高密度的导电通路。此外，业界亦亟需增进穿基底导通结构的结构稳定性。

发明内容

本发明提供一种晶片封装体，包括：一基底，具有一上表面及一下表面；多个导电垫，位于该基底中或该下表面之下；一介电层，位于所述导电垫之间；一孔洞，自该基底的该上表面朝该下表面延伸并露出部分的所述导电垫；以及一导电层，位于该孔洞之中且电性接触所述导电垫。

本发明所述的晶片封装体，所述导电垫中的一上层导电垫具有至少一开口或沟槽，该开口或该沟槽露出所述导电垫中的一下层导电垫。

本发明所述的晶片封装体，所述导电垫的至少其中之一接近该孔洞的部分的厚度朝远离该孔洞的方向递增。

本发明所述的晶片封装体，该孔洞的底部露出所述导电垫的至少其中之一的上表面。

本发明所述的晶片封装体，该孔洞的侧壁露出所述导电垫的至少其中之一的侧边。

本发明所述的晶片封装体，还包括一沟槽，自该基底的该上表面朝该下表面延伸，该沟槽位于该孔洞之上，其中该沟槽的底部包括多个接触孔，且所述接触孔其中之一为该孔洞。

本发明所述的晶片封装体，还包括一基板，设置于所述导电垫之下，其中该孔洞进一步延伸至该基板之中。

本发明还提供一种晶片封装体的形成方法，包括：提供一基底，该基底具有一上表面及一下表面，其中该基底包括多个导电垫，位于该基底中或该下表面之下；以及一介电层，位于所述导电垫之间；于该基底中形成一孔洞，该孔洞自该上表面朝该下表面延伸，该孔洞露出部分的所述导电垫；以及于该孔洞中形成一导电层，该导电层电性接触所述导电垫。

本发明所述的晶片封装体的形成方法，该孔洞的形成步骤包括：自该基底的该上表面形成一第一孔洞，该第一孔洞朝所述导电垫延伸；以及自该第一孔洞的底部形成一第二孔洞，该第二孔洞的侧壁或底部露出部分的所述导电垫。

本发明所述的晶片封装体的形成方法，所述导电垫中的一上层导电垫具有至少一开口或沟槽，该开口或该沟槽露出所述导电垫中的一下层导电垫，且该第二孔洞的形成包括移除该上层导电垫的开口或沟槽中的部分的该介电层。

本发明所述的晶片封装体的形成方法，露出所述导电垫的该第二孔洞于一单一蚀刻制程中形成。

本发明所述的晶片封装体的形成方法，该单一蚀刻制程所用的蚀刻剂对介电材料的蚀刻速度大于对金属材料的蚀刻速度。

本发明所述的晶片封装体的形成方法，还包括：在形成该孔洞之前，于该基底中形成一沟槽，该沟槽自该上表面朝该下表面延伸；以及于该沟槽的底部形成多个接触孔，且所述接触孔其中之一为该孔洞。

本发明还提供一种晶片封装体，包括：一承载基底；一晶片基底，具有一正面及一背面，其中该晶片基底以其正面接合于该承载基底上，形成一接合面；多个导电垫，位于该晶片基底的正面，其中至少一导电垫具有一开窗；一介电层，位于所述导电垫之间；一导通孔，位于该承载基底中，穿过该接合面及该开窗，露出所述导电垫的一层或多层；以及一导电层，位于该导通孔之中且电性接触所述导电垫的一层或多层。

本发明所述的晶片封装体，该开窗位于所述导电垫的一上层导电垫，该上层导电垫露出所述导电垫中的一下层导电垫。

本发明所述的晶片封装体，所述导电垫的至少其中之一接近该孔洞的部分的厚度朝远离该孔洞的方向递增。

本发明所述的晶片封装体，该导通孔的底部露出所述导电垫的至少其中之一的上表面。

本发明所述的晶片封装体，该导通孔的侧壁露出所述导电垫的至少其中之一的侧边。

本发明所述的晶片封装体，还包括一沟槽，自该承载基底的该上表面朝该下表面延伸，该沟槽位于该导通孔之上，且其中该沟槽的底部包括多个导通孔。

本发明所述的晶片封装体，所述导电垫为一堆叠结构，至少包括一上层导电垫及一下层导电垫，其中该上层导电垫具有的开窗的尺寸大于该下层导电垫的开窗的尺寸。

本发明不仅可增进结构可靠度，还能增加穿基底导通结构所连结的导电通路。

附图说明

图1A至图1C显示根据本发明一实施例的晶片封装体的制程剖面图。

图2A至图2C显示根据本发明一实施例的晶片封装体的局部放大制程剖面图。