[发明专利]托盘装置及结晶膜生长设备

权利要求书

1.一种托盘装置，用于承载被加工基片，其特征在于，包括多个沿纵向层叠设置的托盘，并且相邻托盘之间具有一定间距。

2.根据权利要求1所述的托盘装置，其特征在于，在所述多个层叠设置的托盘中，除最底层的托盘外，在各托盘的背面设置第一凸起部，并在与背面设置有第一凸起部的各托盘相对设置的托盘的正面设置与所述第一凸起部相配合的第二凹进部；和/或

在所述多个层叠设置的托盘中，除最底层的托盘外，在各托盘的背面设置第一凹进部，并在与背面设置有第一凹进部的各托盘相对设置的托盘的正面设置与所述第一凹进部相配合的第二凸起部；并且

借助于所述第一凸起部和第二凹进部之间的配合和/或所述第二凸起部和第一凹进部之间的配合，而将相邻托盘彼此保持一定间距地叠置在一起。

3.根据权利要求1所述的托盘装置，其特征在于，所述托盘的数量至少为4个时，处于最顶层和最底层的托盘为不承载基片的陪衬托盘。

4.根据权利要求1所述的托盘装置，其特征在于，所述托盘的材料包括石墨、钼、钼合金。

5.根据权利要求4所述的托盘装置，其特征在于，所述托盘采用石墨材料制成，并且其表面具有SiC涂层。

6.根据权利要求1所述的托盘装置，其特征在于，所述可承载的基片的材料包括蓝宝石、Ge、GaAs、GaN、SiC、ZnO或Si。

7.根据权利要求1所述的托盘装置，其特征在于，还包括固定架，每一个托盘均借助于固定连接件而固定在所述固定架上，并且相邻托盘间隔有一定间距。

8.根据权利要求7所述的托盘装置，其特征在于，所述托盘呈环状结构，所述固定架沿所述多个托盘的层叠方向贯穿所述层叠设置的托盘的中空部分。

9.根据权利要求1所述的托盘装置，其特征在于还包括旋转机构，用以驱动各个托盘进行同步或独立地旋转运动。

10.一种结晶膜生长设备，包括工艺腔室、工艺气体输送系统及排气系统，其特征在于，所述工艺腔室内设置有权利要求1-7中任意一项所述的托盘装置，用以在工艺过程中承载基片。

11.根据权利要求10所述的结晶膜生长设备，其特征在于，所述工艺气体输送系统设置在工艺腔室的边缘部分，并且该工艺气体输送系统包括工艺气体进气口及工艺气体出气口，所述工艺气体进气口将工艺气体自工艺腔室之外引入所述工艺气体输送系统，所述工艺气体输送系统中的工艺气体经由工艺气体出气口而进入到工艺腔室内并到达托盘装置所承载的各基片。

12.根据权利要求10所述的结晶膜生长设备，其特征在于，所述托盘呈环状结构，所述工艺气体输送系统沿所述多个托盘的层叠方向贯穿所述层叠设置的托盘的中空部分，并且该工艺气体输送系统包括工艺气体进气口及工艺气体出气口，所述工艺气体进气口将工艺气体自工艺腔室之外引入所述工艺气体输送系统，所述工艺气体输送系统中的工艺气体经由工艺气体出气口而进入到工艺腔室内并到达托盘装置所承载的各基片。

13.根据权利要求10所述的结晶膜生长设备，其特征在于，在所述工艺气体输送系统上对应于每一个托盘而设置有工艺气体出气口，以使工艺气体被直接输出至每一个托盘。

14.根据权利要求10所述的结晶膜生长设备，其特征在于，在工艺气体输送系统中还设置有用以冷却工艺气体的水冷管。

15.根据权利要求10所述的结晶膜生长设备，其特征在于，在工艺气体输送系统中还设置有用以辅助输送工艺气体的工艺气体补偿通道。

16.根据权利要求10所述的结晶膜生长设备，其特征在于，在所述工艺气体输送系统内设置有整流装置和多个工艺气体输送管，所述整流装置包括沿托盘层叠方向自上而下依次设置的多个翼片。

17.根据权利要求16所述的结晶膜生长设备，其特征在于，在所述翼片上可设置供所述工艺气体输送管穿过的通孔，并且

对于每个所述工艺气体输送管，仅在其出口下方的各翼片上设置供该工艺气体输送管穿过的通孔，

所述多个工艺气体输送管穿过各自对应的通孔而沿托盘层叠方向延伸，从每个所述工艺气体输送管中流出的气体与位于各自出口上方的翼片相碰撞后改变流向并最终到达相应的托盘表面。