[发明专利]包括柔性基板或硬性基板的光电装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种包括柔性基板或硬性基板的光电装置及其制造方法。

背景技术

近年来，随着石油、煤炭等传统能源逐渐枯竭，社会各界越来越关注替代能源的研究。其中，太阳能由于其资源丰富，不存在环境污染的问题，备受关注。

将太阳能直接转换成电能的装置就是光电装置，即太阳能电池。光电装置主要利用半导体接合的光电现象。即，光入射分别掺杂p型和n型不纯物质的半导体pin接合并被吸收时，光能在半导体内部产生电子和空穴，在内部电场的作用下产生分离，在pin接合两端产生光电。此时，如果在接合两端形成电极并连接导线，则可以通过电极和导线电流流向外部。

为了使太阳能代替石油等传统能源，需要降低随着时间的经过出现的光电装置的劣化率，提高稳定化效率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用来形成稳定子层的光电装置及光电装置的制造方法。

本发明要解决的技术课题不限于所述记载的内容，本发明所属技术领域的普通技术人员都可以通过下面的说明，理解以上未涉及到的其他技术课题。

在本发明的光电装置的制造方法中，在多个工序腔室组中的第i个(i是1以上的自然数)工序腔室组中包括形成具有第一结晶体积分率的第一子层的步骤，在所述多个工序腔室组的第i+1个工序腔室组中包括形成第二子层的步骤，所述第二子层与所述第一子层接触，并包括晶硅粒子，且具有比所述第一结晶体积分率大的第二结晶体积分率。

本发明的光电装置的制造方法包括下述步骤：在形成纯半导体层的所述第一子层形成期间，用来形成所述第一子层的第一工序条件在多个工序腔室组中的第i个(i是1以上的自然数)工序腔室组中保持；在形成包括晶硅粒子、且与所述第一子层接触的所述纯半导体层的第二子层期间，与所述第一工序条件不同的第二工序条件在第i+1个工序腔室组中保持。

本发明的光电装置包括：基板；位于所述基板上的第一电极以及第二电极；位于所述第一电极以及所述第二电极之间的多个光电转换层，所述多个光电转换层中离光照射侧最近的光电转换层的纯半导体层包括由非晶硅物质组成的第一子层以及包括晶硅粒子的第二子层。

本发明的光电装置包括：基板；位于所述基板上的第一电极和第二电极；位于所述第一电极和所述第二电极之间的多个光电转换层。所述多个光电转换层中离光最先照射到的光电转换层相邻的光电转换层的纯半导体层包括含锗的第一子层和由非晶硅组成或具有比第一子层的结晶体积分率大的结晶体积分率的第二子层。

根据本发明能够使各工序腔室组的工序条件保持恒定，由此能够形成稳定的子层，且能够形成含有晶硅粒子的子层。

附图说明

图1a至图1c表示根据本发明实施方式的光电装置的制造方法中可使用的系统；

图2表示根据本发明实施方式制造的纯半导体层；

图3表示含氢气和硅的气体流量变化；

图4表示供给光电装置的制造系统的电压频率变化；

图5表示光电装置的制造系统的温度变化；

图6表示光电装置的等离子放电量的变化；

图7a至图7e表示含非硅元素的气体流量变化；

图8a及图8b表示根据本发明实施方式的光电装置；

图9表示仅由原晶硅组成的纯半导体层；

图10表示根据本发明实施方式的光电装置子层的整理表。

附图标号说明

100a，100b：基板

110a，110b，110c：第一电极

120a，120b，120c：第一导电性半导体层

130a，130b，130c：纯半导体层

140a，140b，140c：第二导电性半导体层

150a，150b，150c：第二电极

E1，L1，I0～I4，E2，L2，E2：工序腔室以及工序腔室组

PVL1，PVL2，PVL3：光电转换层

具体实施方式

下面结合附图详细说明根据本发明实施例的光电装置的制造方法。

图1a至图1c为本发明实施例的光电装置的制造方法中可使用的系统。

图1a为卷对卷(roll to roll)方式的光电装置的制造系统，图1b为辊式步进(stepping roll)方式的光电装置的制造系统。图1c为连续(in-line)方式的光电装置的制造系统。

如图1a至图1c所示，各系统包括用来形成纯半导体层的多个工序腔室组(I0～I4。图1a至图1c的工序腔室组虽只包括一个工序腔室，但是也可以包括两个以上的工序腔室。并且，各工序腔室组内所包括的工序腔室数量可以相同，也可以不同。