[发明专利]油污晶体硅片的处理方法及制绒方法无效
| 申请号： | 201110060228.6 | 申请日： | 2011-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN102653887A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 刘娜;何悦;柳杉;荣道兰 | 申请（专利权）人： | 无锡尚德太阳能电力有限公司;尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B33/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜娟娟;高为 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 油污 晶体 硅片 处理 方法 | ||
1.一种油污晶体硅片的处理方法，所述晶体硅片用于制备太阳电池，其特征在于，所述晶体硅片在含氧气体氛围中进行热处理以氧化去除所述油污。
2.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述热处理在退火炉管中完成。
3.如权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于，所述氧化去除油污的工艺条件包括：通入的氧气流量范围为2000sccm至9000sccm，温度范围为600℃至900℃，维持时间范围为3-8分钟。
4.如权利要求3所述的处理方法，其特征在于，在通入氧气氧化去除油污之前和/或之后，所述热处理还包括在600℃至900℃温度范围内通入氮气的步骤，所述氮气的流量范围为10000sccm至20000sccm，通入氮气的时间范围为3-10分钟。
5.一种制绒方法，用于制备太阳电池，其特征在于，包括以下步骤：
(1)提供用于制备太阳电池的晶体硅片；
(2)将所述晶体硅片进行第一次制绒处理；
(3)从第一次制绒处理后的所述晶体硅片中挑拣出油污晶体硅片；
(4)将所述油污晶体硅片在含氧气体氛围中进行热处理以氧化去除所述油污；以及
(5)将所述油污晶体硅片进行第二次制绒处理。
6.如权利要求5所述的制绒方法，其特征在于，在所述步骤(3)中，挑拣出色斑不良的晶体硅片作为所述油污晶体硅片。
7.如权利要求5所述的制绒方法，其特征在于，所述步骤(4)在退火炉管中完成。
8.如权利要求7所述的制绒方法，其特征在于，所述步骤(4)和步骤(5)之间还包括步骤：
(4a)从所述退火炉管取出所述油污晶体硅片并进行冷却。
9.如权利要求5所述的制绒方法，其特征在于，所述步骤(4)中所述氧化去除油污的工艺条件包括：通入的氧气流量的范围为2000sccm至9000sccm，温度范围为600℃至900℃，维持时间范围为3-8分钟。
10.如权利要求9所述的制绒方法，其特征在于，在通入氧气氧化去除油污之前和/或之后，所述热处理还包括在600℃至900℃温度范围内通入氮气的步骤，所述氮气的流量范围为10000sccm至20000sccm，通入氮气的时间范围为3-10分钟。
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