[发明专利]高透型低辐射镀膜玻璃及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及玻璃领域，特别涉及一种高透型低辐射镀膜玻璃及其制备方法。

背景技术

中国专利CN2721633公开了一种特殊膜系的低辐射镀膜玻璃，包括有玻璃基片，在玻璃基片上复合有五个膜层，第一膜层即底层为金属氧化物膜层；第二膜层为金属或合金阻挡层；第三膜层为金属银；第四膜层为金属或合金阻挡层；第五膜层即表面层为金属氧化物膜层。该结构可确保银层不受氧气影响，避免银层被氧化，使得低辐射镀膜玻璃的功能膜层之一即银层能很好地起到作用，获得稳定的低辐射功能。该低辐射镀膜玻璃具有一定的抗氧化性能，膜层耐磨性能好，耐碱性能好，但是还存在耐酸性能略差的缺陷。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种光线透过率高、抗氧化性能好、膜层牢固度好、耐磨与耐酸碱性能好的高透型低辐射镀膜玻璃及其制备方法。

为了解决上述技术问题，本发明提供一种高透型低辐射镀膜玻璃，在玻璃基片的表面从下至上依次设置电介质层I、镍铬合金层I、银层、镍铬合金层II和电介质层II；电介质层I与玻璃基片的表面相连；电介质层I和电介质层II均为氧化锌的锡酸盐层(即SnZnO₃层)。

作为本发明的高透型低辐射镀膜玻璃的改进：玻璃基片的厚度为4～12mm。

作为本发明的高透型低辐射镀膜玻璃的进一步改进：电介质层I、镍铬合金层I、银层、镍铬合金层II和电介质层II的厚度依次为42～46nm、0.7～0.9nm、8～10nm、0.7～0.9nm和30～34nm。

本发明还同时提供了上述高透型低辐射镀膜玻璃的制备方法，依次进行以下步骤：

1)、配制镀层材料：

电介质层I和电介质层II采用锡和锌混合的浇铸圆柱型靶作为靶材，Zn∶Sn的重量比为＝50∶50；

镍铬合金层I和镍铬合金层II采用镍铬合金作为靶材，镍∶铬的重量比为80∶20；

银层采用银作为靶材；

2)、在平面磁控镀膜机中，使本体真空压力低于1.0×10^-5Torr，镀膜室I～镀膜室V内的溅射压力为1.7×10^-3Torr～3.0×10^-3Torr；将玻璃基片分别依次进行以下操作：

①、将玻璃基片送入镀膜室I内，在镀膜室I内设置锡和锌混合的浇铸圆柱型靶，采用旋转靶的方式，控制方式采用中频电源溅射；将O₂∶Ar＝2∶1的流量比通入镀膜室I内；从而在玻璃基片上形成膜层厚度为42～46nm的ZnSnO₃层作为电介质层I；

②、将步骤①的所得物送入镀膜室II内，在镀膜室II内设置镍铬合金作为靶材，控制方式采用直流电源溅射；将Ar通入镀膜室II内；从而在电介质层I上形成膜层厚度为0.7～0.9nm的镍铬合金层I；

③、将步骤②的所得物送入镀膜室III内，在镀膜室III内设置银作为靶材，控制方式采用直流电源溅射；将Ar通入镀膜室III内；从而在镍铬合金层I上形成膜层厚度为8～10nm的银层(4)；

④、将步骤③的所得物送入镀膜室IV内，在镀膜室IV内设置镍铬合金作为靶材，控制方式采用直流电源溅射；将Ar通入镀膜室IV内；从而在银层上形成膜层厚度为0.7～0.9nm的镍铬合金层II；

⑤、将步骤④的所得物送入镀膜室V内，在镀膜室V内设置锡和锌混合的浇铸圆柱型靶，采用旋转靶的方式，控制方式采用中频电源溅射；将O₂∶Ar＝2∶1的流量比通入镀膜室V内；在镍铬合金层II上形成膜层厚度为30～34nm的ZnSnO₃层作为电介质层II。

ZnSnO₃在申请号为200910089738.9的专利中有相应告知。

本发明的高透型低辐射镀膜玻璃具有以下优点：

1、本发明将常规用的锡和锌两个靶材合并为一个旋转锌锡靶，富氧溅射。该材料(旋转锌锡靶)具有沉积率高，价格便宜的特点，且SnZnO₃是很耐久的顶层材料。在膜层厚度相同的情况下，其具有较低的光线吸收率，可得到较高的光线透过率。

2、本发明的高透型低辐射镀膜玻璃，可见光透过率控制在80％-83％，具有较高的遮阳系数(遮阳系数在0.6以上)。玻璃面和膜面的光学参数均控制在自然色(中性)颜色范围内。

3、本发明的高透型低辐射镀膜玻璃，反射率小于8％。

4、本发明的高透型低辐射镀膜玻璃，以6mm透明玻璃作为玻璃基片，具体性能参数如下：