[发明专利]具有基板通孔的噪声去耦合结构

权利要求书

1.一种装置，包括：

基板，包括前表面和后表面；

集成电路器件，在所述基板的所述前表面处；

金属板，在所述基板的所述后表面上，其中，所述金属板与整个所述集成电路器件基本上重叠；

保护环，延伸至所述基板并且环绕所述集成电路器件，其中，所述保护环由导电材料形成；以及

基板通孔(TSV)，穿过所述基板并且电连接至所述金属板。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述保护环包括形成阱环的阱区。

3.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：深阱区，直接在所述集成电路器件下面并且电连接至所述保护环。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述TSV穿过所述深阱区。

5.根据权利要求3所述的装置，进一步包括邻近所述集成电路器件的浅沟槽隔离(STI)区，其中，所述TSV穿过所述STI区。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述TSV在所述保护环外侧。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述TSV在所述保护环内侧，并且水平地位于所述集成电路器件和所述保护环之间。

8.根据权利要求1所述的装置，进一步包括环绕所述保护环的附加保护环，其中，所述TSV水平地位于所述保护环和所述附加保护环之间。

9.一种装置，包括：

半导体基板，包括前表面和后表面；

集成电路器件，在所述基板的所述前表面处；

金属板，在所述基板的所述后表面上，其中，所述金属板与整个所述集成电路器件基本上重叠；

第一保护环，延伸至所述基板并且环绕所述集成电路器件，其中，所述第一保护环由第一阱区形成；

深阱区，直接在所述集成电路器件下面并且与所述第一保护环接触，其中，所述第一保护环和所述深阱区具有相同导电类型；

基板通孔(TSV)，穿过所述基板和所述深阱区，并且电连接至所述金属板；以及

穿过所述基板和所述深阱区并且电连接至所述金属板的多个TSV，其中，所述多个TSV和所述TSV围绕所述集成电路器件基本上均匀分布。

10.一种装置，包括：

p-型半导体基板；

所述半导体基板中的深n-阱区；

p-阱区，在所述深阱区上方并与所述深阱区接触；

保护环，由p-型半导体基板中的n-阱区形成并且环绕所述p-阱区，其中，所述保护环从所述p-型半导体基板的前表面延伸到所述p-型半导体基板，并且其中，所述保护环与所述深n-阱区接触；

金属板，与所述半导体基板的后表面接触；

基板通孔(TSV)，穿过所述p-型半导体基板并且与金属板接触；以及

集成电路器件，其包括所述p-型阱区中被所述保护环环绕的至少一部分，其中，所述集成电路器件选自主要由以下组成的组：金属氧化物半导体(MOS)、MOS变抗器、电感器及其组合。