[发明专利]制备大范围二维纳米材料石墨烯的方法无效
| 申请号： | 201110060953.3 | 申请日： | 2011-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102120574A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 倪振华;詹达;申泽骧;丁荣 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 范围 二维 纳米 材料 石墨 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备大范围二维纳米材料石墨烯的方法，其特征是利用碳元素高速离子注入的方式提供碳源来制备大范围石墨烯；具体步骤如下：
一、镍薄膜制备：采用溅射法或脉冲激光沉积法方法制备镍薄膜，薄膜厚度在100-300nm之间，
二、碳元素注入：利用高速离子注入的方法，将碳元素注入到镍薄膜的表面，离子注入的剂量(Dose)范围为5x1015-5x1016 cm-2，能量为：500-1000eV，
三、高温煺火: 在温度为600-1000摄氏度下煺火，煺火时间为15分钟-60分钟，真空条件为10-5Pa至1Pa，
四、镍薄膜腐蚀：利用溶液浓度在0.25-1摩尔/升的氯化铁或硝酸铁溶液腐蚀镍薄膜，使石墨烯薄膜漂浮在溶液表面，腐蚀时间在3-24小时，
五、石墨烯薄膜转移：利用任意衬底，将漂浮在溶液表面的石墨烯薄膜转移出，即获得大范围的石墨烯薄膜；这样大范围的石墨烯薄膜就制作完成，大小可达数厘米。
2.根据权利要求1 所述的制备大范围二维纳米材料石墨烯的方法，其特征是所述的镍薄膜可以是铜或其它过渡金属薄膜。
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