[发明专利]用于校准温度测量器件的方法和用于确定晶片温度的方法

权利要求书

1.一种校准温度测量器件的方法，所述方法包括：

将光向校准晶片的第一侧引导，所述校准晶片的至少一部分具有随温度变化的在第一已知波长上的光学吸收，并具有随温度变化的在第二已知波长上的光程长度；

加热所述校准晶片；

测量所述校准晶片在所述第一已知波长上的吸收特性，以确定绝对温度值；

基于对穿过所述校准晶片的至少一部分的光程长度的对应变化敏感的测量，确定温度的变化；

基于所述对绝对温度的测量和对温度的变化的测量两者，校准温度测量器件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述校准晶片仅包括单个材料板。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述校准晶片具有两个层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一已知波长上的吸收特性和在所述第二已知波长上的光程长度的变化是通过检测透射穿过所述校准晶片的相应波长上的光而测量的。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述向校准晶片的第一侧引导的光中的至少一些是用非相干光源发出的。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述校准晶片包括硅。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述温度测量器件包括高温计。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二已知波长约为1.55微米。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述向校准晶片的第一侧引导的光中的至少一些是用相干光源发出的。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述向校准晶片的第一侧引导的光包括用非相干光源发出的所述第一已知波长的光和用相干光源发出的所述第二已知波长的光。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述对绝对温度的测量和对温度的变化的测量是在所述校准晶片旋转的同时进行的，并且这两项测量是在所述校准晶片上相同半径上进行的。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，基于所述对绝对温度的测量和对温度的变化的测量两者而生成温度量度，该温度量度被用于校准所述温度测量器件。

13.一种校准温度测量器件的方法，该方法包括：

在校准晶片被加热时，测量以第一波长穿过所述校准晶片的透射，以确定所述晶片的至少一个绝对温度；

在所述晶片被加热时，测量以第二波长穿过所述校准晶片的透射，以确定所述晶片的温度的至少一个变化，所述第二波长被选择使得随着所述晶片的温度上升，反射或透射在最大值和最小值之间出现振荡；并且

通过组合所述晶片的所述确定的温度的变化和所述确定的绝对温度，校准温度测量器件。

14.如权利要求13所述的方法，其中，所述校准晶片仅包括一个材料板。

15.如权利要求13所述的方法，其中，所述校准晶片具有两个层。

16.如权利要求13所述的方法，其中，还包括以所述第一波长和所述第二波长向所述校准晶片的第一侧引导光，其中以所述第一波长向所述校准晶片的第一侧引导的光是用非相干光源发出的，以所述第二波长向所述校准晶片的第一侧引导的光是用相干光源发出的。

17.如权利要求13所述的方法，其中，所述校准晶片包括硅。

18.如权利要求13所述的方法，其中，所述温度测量器件包括高温计。

19.如权利要求13所述的方法，其中，所述第二已知波长约为1.55微米。

20.如权利要求13所述的方法，其中，对绝对温度的测量和对温度的变化的测量是在所述校准晶片旋转的同时进行的，并且这两项测量是在所述校准晶片上相同半径上进行的。

21.如权利要求13所述的方法，其中，所述校准晶片具有在校准程序之前就已知的成分，从而所述晶片的光学特性是已知的。

22.如权利要求13所述的方法，其中，所述第二波长上的透射测量对穿过所述晶片的在所述第二波长上的光的光程长度敏感。

23.如权利要求13所述的方法，其中，在所述第一波长上确定的绝对温度是基于所述晶片在所述第一波长上的光学吸收。