[发明专利]一种将碳纳米管束填充到硅转接板的硅穿孔中的方法

权利要求书

1.一种将碳纳米管束填充到硅转接板的硅穿孔中的方法，其特征在于，包括：

在第一基底上生长氧化物缓冲层；

在生长有氧化物缓冲层的第一基底上制作光刻胶层，并经曝光、显影形成碳纳米管束阵列图形；

在形成碳纳米管束阵列图形的第一基底表面通过溅射或蒸发的方法沉积金属催化剂薄膜，并去除光刻胶，形成金属催化剂薄膜阵列；

在金属催化剂薄膜阵列上通过热化学汽相淀积或等离子体援助化学汽相淀积方法生长碳纳米管束阵列；

通过激光钻孔或深反应离子刻蚀方法在第二基底上表面制作硅穿孔盲孔阵列；

采用化学机械抛光法，减薄第二基底的下表面直到曝露出硅穿孔，形成硅穿孔通孔；

在第二基底上下表面的硅穿孔通孔周围制作金属焊垫；

通过对准装置使第一基底上的碳纳米管束阵列分别与第二基底上的硅穿孔阵列一一对准，然后穿过硅穿孔阵列；

在第二基底上碳纳米管束阵列露头的位置制作金属微凸点，形成金属接触；

在形成金属接触第二基底表面制作再分布层；

移除第一基底；

在第二基底上碳纳米管束另一端位置制作金属平板电极；以及

在平板电极上制作球栅阵列封装球。

2.根据权利要求1所述的将碳纳米管束填充到硅转接板的硅穿孔中的方法，其特征在于，所述碳纳米管束阵列通过转移的方法填充到硅穿孔中。

3.根据权利要求1所述的将碳纳米管束填充到硅转接板的硅穿孔中的方法，其特征在于，所述碳纳米管束阵列填充硅穿孔后，生长碳纳米管束阵列所用第一基底需移除。

4.根据权利要求1所述的将碳纳米管束填充到硅转接板的硅穿孔中的方法，其特征在于，所述第一基底或第二基底为硅基底。

5.根据权利要求1所述的将碳纳米管束填充到硅转接板的硅穿孔中的方法，其特征在于，所述氧化物缓冲层为二氧化硅。

6.根据权利要求1所述的将碳纳米管束填充到硅转接板的硅穿孔中的方法，其特征在于，所述碳纳米管束阵列图形是方形或圆形。

7.根据权利要求1所述的将碳纳米管束填充到硅转接板的硅穿孔中的方法，其特征在于，所述在第一基底表面沉积的金属催化剂薄膜采用的材料为铁、钴、镍或及其合金，其厚度为1～10nm。

8.根据权利要求1所述的将碳纳米管束填充到硅转接板的硅穿孔中的方法，其特征在于，所述在第二基底上下表面的硅穿孔通孔周围制作金属焊垫，采用电镀或溅射方法，所用材料是钛和金，或钛和铜。

9.根据权利要求1所述的将碳纳米管束填充到硅转接板的硅穿孔中的方法，其特征在于，所述在第二基底上碳纳米管束阵列露头的位置制作金属微凸点，是采用丝网印刷法在碳纳米管束探出位置印刷焊锡膏，并回流来形成金属微凸点；或者是通过溅射的方法沉积钛和金，形成金属微凸点。