[发明专利]MEMS麦克风及其形成方法

权利要求书

1.一种MEMS麦克风，其特征在于，包括：

敏感薄膜和与所述敏感薄膜相对的固定电极；

位于所述敏感薄膜的与所述固定电极相对的表面的至少一个的敏感薄膜支撑；

连接所述敏感薄膜支撑的敏感薄膜支撑桥臂。

2.如权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，当所述敏感薄膜支撑数量为1时，所述敏感薄膜支撑位于所述敏感薄膜的与所述固定电极相对的表面中心位置。

3.如权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，当所述敏感薄膜支撑数量大于1时，多个敏感薄膜支撑形成的图案的中心与所述敏感薄膜的与所述固定电极相对的表面中心重合。

4.如权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述固定电极、所述敏感薄膜支撑和所述敏感薄膜支撑桥臂的材料一致。

5.如权利要求4所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述固定电极、所述敏感薄膜支撑和所述敏感薄膜支撑桥臂的材料为低应力多晶硅。

6.如权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述敏感薄膜支撑的材料为介质材料。

7.如权利要求6所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述敏感薄膜支撑的材料为氧化硅。

8.如权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述敏感薄膜支撑和所述敏感薄膜的材料一致。

9.如权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述敏感薄膜支撑和所述敏感薄膜的材料为低应力多晶硅。

10.如权利要求1所述的MEMS麦克风，其特征在于，还包括：与所述敏感薄膜对应、用于避免所述敏感薄膜与固定电极接触的挡板。

11.如权利要求10所述的MEMS麦克风，其特征在于，所述挡板为导电材料。

12.一种权利要求1所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，包括：

形成敏感薄膜；

形成固定电极；

形成至少一个的敏感薄膜支撑；

形成敏感薄膜支撑桥臂；

其中，所述固定电极与所述敏感薄膜相对，

所述敏感薄膜支撑位于所述敏感薄膜的与所述固定电极相对的表面，

所述敏感薄膜支撑桥臂连接所述敏感薄膜支撑。

13.如权利要求12所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，包括：

在基底表面形成第一电极；

形成覆盖所述第一电极的介质层，在所述介质层内形成至少一个敏感薄膜支撑；

形成与所述第一电极相对的第二电极，所述第一电极为敏感薄膜，所述第二电极为固定电极；或者所述第一电极为固定电极，所述第二电极为敏感薄膜；

形成敏感薄膜支撑桥臂，所述敏感薄膜支撑连接所述敏感薄膜支撑桥臂和所述敏感薄膜的与所述固定电极相对的表面。

14.如权利要求13所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，包括：

在所述基底表面形成敏感薄膜；

形成覆盖所述敏感薄膜的介质层，在所述介质层内形成暴露所述敏感薄膜表面的通孔；

在所述通孔内填入低应力导电材料，在通孔位置形成所述敏感薄膜支撑，且在所述介质层表面形成低应力导电层；

刻蚀所述低应力导电层，在所述介质层表面形成连接所述敏感薄膜支撑的敏感薄膜支撑桥臂及与所述敏感薄膜相对的固定电极。

15.如权利要求13所述的MEMS麦克风的形成方法，其特征在于，包括：

在所述基底表面形成敏感薄膜；

形成覆盖所述敏感薄膜的介质层；

在所述介质层表面形成敏感薄膜支撑桥臂及与所述敏感薄膜相对的固定电极，且所述敏感薄膜支撑桥臂具有与所述敏感薄膜位置对应的部分；

刻蚀所述介质层形成连接所述敏感薄膜支撑桥臂和敏感薄膜的敏感薄膜支撑。