[发明专利]改善浅沟槽隔离侧壁粗糙度的方法有效
| 申请号： | 201110061647.1 | 申请日： | 2011-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102148184A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 张振兴;奚裴 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 沟槽 隔离 侧壁 粗糙 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善浅沟槽隔离侧壁粗糙度的方法，包括提供半导体衬底，硬掩膜的制备，底部抗反射涂层的淀积，以及浅沟槽蚀刻，其特征在于，所述底部抗反射涂层淀积形成在所述硬掩膜上，且所述底部抗反射涂层的蚀刻气体及流量为：氦氧流量为4～8sccm，四氟化碳与氦气的流量比率为1.6～2.0。
2.如权利要求1所述的改善浅沟槽隔离侧壁粗糙度的方法，其特征在于，所述底部抗反射涂层的厚度为500～700A。
3.如权利要求1所述的改善浅沟槽隔离侧壁粗糙度的方法，其特征在于，所述硬掩膜为氮化硅层。
4.如权利要求1所述的改善浅沟槽隔离侧壁粗糙度的方法，其特征在于，所述硬掩膜与所述半导体衬底之间形成垫氧层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
