[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

支持板；

载置在所述支持板上并具有形成了多个第一电极的电路元件面的半导体元件；

覆盖所述半导体元件的电路元件面并具有将所述多个第一电极露出的多个第一开口的第一绝缘层；

覆盖形成有所述第一绝缘层的半导体元件的侧部以及所述支持板的上部的第二绝缘层；以及

与第二绝缘层的上部以及所述第一绝缘层相接触地形成并与所述多个第一电极电连接的布线层。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，具备形成于所述布线层上并具有将所述布线层的一部分露出的多个第二开口的第三绝缘层。

3.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

在半导体基板上形成各自具有包含多个第一电极的电路元件面的多个半导体元件；

在形成了所述多个半导体元件的半导体基板上形成第一绝缘层；

去除所述第一绝缘层的一部分，来形成将所述多个半导体元件的所述多个第一电极露出的多个第一开口；

切断所述半导体基板，来将所述多个半导体元件单片化；

将单片化了的所述多个半导体元件的所述电路元件面朝上，将所述多个半导体元件载置于支持板上；

形成覆盖所述多个半导体元件的各个侧部以及所述支持板上的第二绝缘层；以及

形成与所述第二绝缘层的上部以及所述第一绝缘层相接触并与所述多个半导体元件的所述多个第一电极电连接的布线层。

4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于包括如下步骤：

在所述布线层的上部形成第三绝缘层；

去除所述第三绝缘层的一部分，来形成将所述布线层的一部分即多个第二电极露出的多个第二开口；

在形成于所述第三绝缘层的所述多个第二开口处形成与所述多个第二电极电连接的多个外部连接用电极；以及

将所述支持板切断，来将所述多个半导体元件单片化。

5.一种层叠型半导体装置，其特征在于，具备：

如权利要求1或2所述的半导体装置；

形成于所述半导体装置上并具有将所述布线层的一部分或所述多个第二电极露出的所述多个第三开口的第四绝缘层；

隔着所述第四绝缘层层叠在所述半导体装置上的另一个半导体装置；

形成在所述第四绝缘层的所述多个第三开口内并将所述半导体装置的所述布线层或所述多个第二电极部与所述另一个半导体装置的布线层电连接的多个导电层；以及

形成在所述半导体装置与所述第四绝缘层之间并至少覆盖所述半导体装置的上表面的一部分的金属层。