[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1. 一种制造半导体器件的方法，包括：

提供具有多个半导体管芯的半导体晶片，每个半导体管芯具有有源表面；

在有源表面上形成第一导电层；

在有源表面和第一导电层上形成第一绝缘层；

在第一绝缘层和第一导电层上形成再钝化层；

形成通过再钝化层延伸到第一导电层的通路；

将半导体晶片单体化以分离半导体管芯；

在半导体管芯上沉积密封剂；

在再钝化层和密封剂上形成第二绝缘层；

在再钝化层和第一导电层上形成第二导电层；以及

在第二导电层和第二绝缘层上形成第三绝缘层。

2. 根据权利要求1的方法，还包括在第二导电层上形成互连结构。

3. 根据权利要求1的方法，还包括：

在形成再钝化层之前在第一绝缘层中形成开口；

在第一绝缘层和第一导电层上形成再钝化层；以及

在第一绝缘层的开口内形成通过再钝化层的通路，所述通路比第一绝缘层的开口小至少10微米。

4. 根据权利要求1的方法，其中在再钝化层中的通路的情况下，第二导电层具有每侧至少12微米的对准公差。

5. 根据权利要求1的方法，还包括在形成再钝化层之前在第一绝缘层和第一导电层上形成第三导电层。

6. 根据权利要求1的方法，其中在第二绝缘层之内或之外形成第二导电层的一部分。

7. 一种制造半导体器件的方法，包括：

提供具有有源表面的半导体晶片；

在有源表面上形成第一导电层；

在有源表面和第一导电层上形成第一绝缘层；

在第一绝缘层和第一导电层上形成再钝化层；

形成通过再钝化层延伸到第一导电层的通路；

将半导体晶片单体化以分离半导体管芯；

在半导体管芯上沉积密封剂；

在再钝化层和第一导电层上形成第二导电层；

在第二导电层和再钝化层上形成第二绝缘层；

在第二绝缘层和第二导电层上形成第三导电层；以及

在第三导电层上形成第三绝缘层。

8. 根据权利要求7的方法，还包括在第三导电层上形成互连结构。

9. 根据权利要求7的方法，还包括：

在形成再钝化层之前在第一绝缘层中形成开口；

在第一绝缘层和第一导电层上形成再钝化层；以及

在第一绝缘层的开口内形成通过再钝化层的通路，所述通路比第一绝缘层的开口小至少10微米。

10. 根据权利要求7的方法，其中在再钝化层中的通路的情况下，第二导电层具有每侧至少12微米的对准公差。

11. 根据权利要求7的方法，还包括在形成再钝化层之前在第一绝缘层和第一导电层上形成第四导电层。

12. 根据权利要求7的方法，其中在第二绝缘层之内或之外形成第二导电层的一部分。

13. 根据权利要求7的方法，其中第二和第三导电层用作再分配层。

14. 一种制造半导体器件的方法，包括：

提供半导体管芯；

在半导体管芯的有源表面上形成第一导电焊盘；

在第一导电焊盘和半导体管芯上形成钝化层；

形成通过钝化层延伸到第一导电焊盘的通路；

在半导体管芯上沉积密封剂；

在钝化层和密封剂上形成第一绝缘层；

在钝化层和第一导电焊盘上形成第二导电层；以及

在第二导电层和第一绝缘层上形成第二绝缘层。

15. 根据权利要求14的方法，还包括在第二导电层上形成互连结构。

16. 根据权利要求15的方法，其中所述互连结构包括凸块。

17. 根据权利要求14的方法，其中钝化层的通路比第一导电焊盘小至少30微米。

18. 根据权利要求14的方法，还包括：

在形成再钝化层之前在第一绝缘层中形成开口；

在第一绝缘层和第一导电焊盘上形成钝化层；以及

在第一绝缘层的开口内形成通过钝化层的通路，所述通路比第一绝缘层的开口小至少10微米。