[发明专利]半导体参数测量系统的检测方法有效

专利信息
申请号: 201110061727.7 申请日: 2011-03-15
公开(公告)号: CN102156271A 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 戴晓明 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: G01R35/00 分类号: G01R35/00
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 半导体 参数 测量 系统 检测 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体参数测量系统的检测方法,所述半导体参数测量系统包括半导体参数测试仪以及与其连接的探针,所述半导体参数测量系统的检测方法包括:

将多个探针分别通过连接线连接至所述半导体参数测试仪的多个端口;

测量模块发出命令向所述半导体参数测试仪的其中一个端口施加电压;

通过所述半导体参数测试仪测量每个探针的电流值;

若测量的电流值中有大于漏电标准值的电流值,则判断所述连接线异常或探针漏电,并排除所述连接线异常或所述探针漏电的故障;若测量的电流值均小于或等于所述漏电标准值,则判断所述连接线正常并且所述探针无漏电;

将多个探针共同扎在一个压焊点上,且每个探针之间相互不接触;

检测模块选择任意两个探针,使被选的两个探针与所述半导体参数测量系统构成回路;

通过所述半导体参数测试仪检测所述探针的电压或电流;

利用所述检测模块获取所述半导体参数测量系统与被选的两个探针的串联电阻值;

若所述串联电阻值大于标准值,则判断被选的两个探针中至少有一个异常;若所述串联电阻值小于或等于标准值,则判断所述被选的两个探针均正常。

2.如权利要求1所述的半导体参数测量系统的检测方法,其特征在于,所述连接线是三轴同轴线。

3.如权利要求1所述的半导体参数测量系统的检测方法,其特征在于,所述连接线异常包括所述连接线老化或者所述连接线接口松动中的一种或组合。

4.如权利要求1或2或3所述的半导体参数测量系统的检测方法,其特征在于,所述半导体参数测量系统与所述测量模块之间通过通用接口总线连接。

5.如权利要求4所述的半导体参数测量系统的检测方法,其特征在于,在通过所述半导体参数测试仪检测所述探针的电压或电流的步骤中,所述半导体参数测试仪接通电流并检测电压。

6.如权利要求5所述的半导体参数测量系统的检测方法,其特征在于,所述检测模块根据所述半导体参数测试仪接通的电流值以及所述半导体参数测试仪检测得到的电压值获取所述串联电阻值。

7.如权利要求1或2或3所述的半导体参数测量系统的检测方法,其特征在于,在通过所述半导体参数测试仪检测所述探针的电压或电流的步骤中,所述半导体参数测试仪加载电压并检测电流。

8.如权利要求7所述的半导体参数测量系统的检测方法,其特征在于,所述检测模块根据所述半导体参数测试仪加载的电压值以及所述半导体参数测试仪检测得到的电流值获取所述串联电阻值。

9.如权利要求1或2或3所述的半导体参数测量系统的检测方法,其特征在于,将多个探针共同扎在一个压焊点上之前,确认所述半导体参数测量系统与所述检测模块之间通信正常。

10.如权利要求1或2或3所述的半导体参数测量系统的检测方法,其特征在于,所述半导体参数测量系统与检测模块之间通过通用接口总线连接。

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