[发明专利]一种高压半导体结构及其制备方法无效

申请号：	201110061788.3	申请日：	2011-03-15
公开（公告）号：	CN102184947A	公开（公告）日：	2011-09-14
发明（设计）人：	范春晖;孙德明	申请（专利权）人：	上海集成电路研发中心有限公司
主分类号：	H01L29/51	分类号：	H01L29/51;H01L21/28
代理公司：	上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237	代理人：	郑玮
地址：	201210 上***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	一种高压半导体结构及其制备方法
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【权利要求书】：

1.一种高压半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底，设置于所述半导体衬底表面的双层斜坡介质层，及设置于所述半导体衬底和所述双层斜坡介质层表面的斜坡金属场板结构；所述双层斜坡介质层包括底层介质层以及位于底层介质层上的顶层介质层，所述顶层介质层为高介电常数介质材料，所述顶层介质层的介电常数大于底层介质层的介电常数。

2.如权利要求1所述的高压半导体结构，其特征在于，所述底层介质层的材料为二氧化硅。

3.如权利要求1所述的高压半导体结构，其特征在于，所述顶层介质层的材料为二氧化铪或二氧化锆。

4.如权利要求1所述的高压半导体结构，其特征在于，所述底层介质层斜坡部分的坡度小于顶层介质层斜坡部分的坡度。

5.一种用于制备如权利要求1所述的高压半导体结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供第一导电类型的半导体衬底，在其表面形成双层介质材料层；

利用光刻工艺定义所述半导体衬底上的引出区域；

湿法刻蚀所述双层介质材料，以暴露所述引出区域的半导体表面，并使双层介质材料层形成双层斜坡介质层，所述双层斜坡介质层包括底层介质层以及位于底层介质层上的顶层介质层；

离子注入第二导电类型的杂质于所述引出区域，并进行退火工艺；

在所述半导体衬底及所述双层斜坡介质层结构表面形成斜坡金属场板结构。

6.如权利要求5所述的高压半导体结构，其特征在于，所述底层介质层的材料为二氧化硅。

7.如权利要求5所述的高压半导体结构，其特征在于，所述顶层介质层的材料为二氧化铪或二氧化锆。

8.如权利要求5所述的制备高压半导体结构的方法，其特征在于，在湿法刻蚀所述双层介质材料步骤中，所述底层介质层的刻蚀速率小于顶层介质层的刻蚀速率。