[发明专利]MRAM器件及其装配方法无效
| 申请号： | 201110062115.X | 申请日： | 2011-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN102623482A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 庞兴收;希拉·F·肖平;李军;徐雪松 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L23/495 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 刘光明;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mram 器件 及其 装配 方法 | ||
1.一种半导体管芯的封装方法，包括以下步骤：
提供具有管芯焊盘和引线指的引线框；
将所述半导体管芯贴附至所述管芯焊盘；
将所述半导体管芯的接合焊盘电连接至所述引线框的引线指；
将预形成的磁屏蔽体贴附至所述半导体管芯的顶表面，其中，所述磁屏蔽体由嵌入在基底基质中的磁渗透填充材料形成；以及
将密封材料散布至所述引线框、管芯和屏蔽体的顶表面上，使得所述密封材料覆盖所述管芯和所述屏蔽体。
2.如权利要求1所述的半导体管芯的封装方法，其中，所述基底基质包括有机化合物和金属中的至少一种。
3.如权利要求1所述的半导体管芯的封装方法，其中，所述磁渗透填充材料包括镍(Ni)。
4.如权利要求1所述的半导体管芯的封装方法，其中，所述磁渗透填充材料包括NiFe。
5.如权利要求1所述的半导体管芯的封装方法，其中，所述磁渗透填充材料包括NiFeMo。
6.如权利要求1所述的半导体管芯的封装方法，其中，所述半导体管芯包括磁阻随机存取存储器(MRAM)器件。
7.一种半导体器件，包括：
具有管芯焊盘和引线指的引线框；
贴附至所述管芯焊盘并且电耦合至所述引线指的半导体管芯；
贴附至所述半导体管芯的顶表面的磁屏蔽体，其中，所述磁屏蔽体包括由散布在有机基质中的磁渗透填充材料形成的复合材料；以及
覆盖所述引线框、所述半导体管芯和所述磁屏蔽体的密封材料。
8.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述半导体管芯包括磁阻随机存取存储器(MRAM)管芯。
9.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述磁渗透填充材料包括配置成为所述半导体管芯提供电磁屏蔽的金属颗粒。
10.一种磁阻随机存取存储器(MRAM)管芯的封装方法，包括以下步骤：
提供具有管芯焊盘和引线指的引线框；
使用第一管芯贴附粘合剂将所述MRAM管芯粘附至所述管芯焊盘；
使用丝线键合工艺，利用丝线将所述MRAM管芯的接合焊盘电连接至所述引线框的引线指；
使用第二管芯贴附粘合剂将预形成的复合磁屏蔽体粘附至所述MRAM管芯的顶表面，其中，所述磁屏蔽体包括散布在有机基质中的金属颗粒材料；
将密封材料散布至所述引线框、MRAM管芯和磁屏蔽体的顶表面上，使得所述密封材料覆盖所述MRAM管芯和所述磁屏蔽体；以及
固化所述密封材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
