[发明专利]基于光子晶体表面态的二维光子晶体T型波导有效
| 申请号： | 201110062131.9 | 申请日： | 2011-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102087383A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 江斌;刘安金;陈微;周文君;郑婉华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 光子 晶体 表面 二维 波导 | ||
1.一种基于光子晶体表面态的二维光子晶体T型波导，其特征在于，该T型波导包括一个四方晶格光子晶体W1波导，在该光子晶体W1波导的出口端两侧的光子晶体表面具有一排缺陷层四方晶格光子晶体介质柱，并在光子晶体W1波导出口端外侧具有若干排起反射作用的四方晶格光子晶体介质柱，同时对光子晶体W1波导出口端的最近邻一排的几个四方晶格光子晶体介质柱的大小进行微调，使其与反射层四方晶格光子晶体介质柱一起调节光场分布。
2.根据权利要求1所述的基于光子晶体表面态的二维光子晶体T型波导，其特征在于，所述四方晶格光子晶体介质柱采用的材料为半导体材料。
3.根据权利要求2所述的基于光子晶体表面态的二维光子晶体T型波导，其特征在于，所述半导体材料为InP。
4.根据权利要求1所述的基于光子晶体表面态的二维光子晶体T型波导，其特征在于，所述四方晶格光子晶体介质柱中四方晶格光子晶体具有横磁模光子晶体带隙。
5.根据权利要求1所述的基于光子晶体表面态的二维光子晶体T型波导，其特征在于，所述光子晶体W1波导是由四方晶格光子晶体沿Γ-K方向去除一列介质柱而形成的。
6.根据权利要求1所述的基于光子晶体表面态的二维光子晶体T型波导，其特征在于，所述缺陷层四方晶格光子晶体介质柱，其半径小于光子晶体的周期介质柱半径。
7.根据权利要求1所述的基于光子晶体表面态的二维光子晶体T型波导，其特征在于，所述起反射作用的四方晶格光子晶体介质柱，其半径与光子晶体周期介质柱的半径相等。
8.根据权利要求1所述的基于光子晶体表面态的二维光子晶体T型波导，其特征在于，所述起反射作用的四方晶格光子晶体介质柱与光子晶体W1波导出口端附近的与光子晶体W1波导最近邻波导两侧的若干半径较小的介质柱一起调节光场分布，实现T型波导的高效输出和零反射。
9.根据权利要求1所述的基于光子晶体表面态的二维光子晶体T型波导，其特征在于，所述光子晶体W1波导出口端附近光子晶体W1波导两侧最近邻的若干介质柱的半径小于光子晶体周期介质柱的半径，这些微调半径的介质柱和光子晶体W1波导出口端外侧的若干排起反射作用的光子晶体介质柱一起调控光场分布，从而实现T型波导的高效输出和零反射。
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