[发明专利]氮化物系半导体发光结构无效
| 申请号： | 201110062150.1 | 申请日： | 2011-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102683526A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 李允立;赖彦霖 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 王正茂;彭晓玲 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化物系半导体发光结构，包含：
一P型氮化物系半导体层；
一N型氮化物系半导体层；以及
一氮化物系半导体主动层，其形成于该P型氮化物系半导体层及该N型氮化物系半导体层之间，其特征在于，该氮化物系半导体主动层包含井层与障壁层交互积层而构成的多重量子井构造，该氮化物系半导体主动层的障壁层中，靠近该P型氮化物系半导体层侧的障壁层掺杂有P型离子及N型离子。
2.如权利要求1所述的氮化物系半导体发光结构，其特征在于，该P型氮化物系半导体层不含铝离子。
3.如权利要求1所述的氮化物系半导体发光结构，其特征在于，该P型离子为镁离子及该N型离子为硅离子。
4.如权利要求1所述的氮化物系半导体发光结构，其特征在于，该氮化物系半导体主动层包含一发光区及一非发光区。
5.如权利要求4所述的氮化物系半导体发光结构，其特征在于，该发光区及该非发光区皆由至少一层该障壁层与至少一层该井层所组成。
6.如权利要求5所述的氮化物系半导体发光结构，其特征在于，该非发光区的该井层不掺杂离子。
7.如权利要求1所述的氮化物系半导体发光结构，其特征在于，靠近该N型氮化物系半导体层侧的障壁层掺杂有N型离子。
8.如权利要求1所述的氮化物系半导体发光结构，其特征在于，靠近该N型氮化物系半导体层侧的障壁层厚度大于靠近该P型氮化物系半导体层侧的障壁层厚度。
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