[发明专利]一种超材料双极化的射频基站天线有效
申请号: | 201110062175.1 | 申请日: | 2011-03-14 |
公开(公告)号: | CN102683902A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 刘若鹏;杨松涛;张洋洋;李岳峰 | 申请(专利权)人: | 深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司 |
主分类号: | H01Q23/00 | 分类号: | H01Q23/00;H01Q1/24;H01Q1/36 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 材料 极化 射频 基站 天线 | ||
1.一种超材料双极化的射频基站天线,其特征在于,所述超材料双极化的射频基站天线包括第一馈线、第二馈线、金属片、第一可短接点以及第二可短接点,所述金属片上镂刻有金属微结构,所述双极化射频天线预设有供电子元件嵌入的空间。
2.根据权利要求1所述的超材料双极化的射频基站天线,其特征在于,所述空间设置在第一馈线、第二馈线、第一馈线与金属微结构之间、第二馈线与金属微结构之间、金属微结构这五个位置的至少一个上。
3.根据权利要求2所述的超材料双极化的射频基站天线,其特征在于,所述空间设置在金属微结构的走线上,所述电子元件嵌入在金属微结构的走线上。
4.根据权利要求2所述的超材料双极化的射频基站天线,其特征在于,所述空间设置在人造微结构的走线间隔内,所述电子元件嵌入在人造微结构的走线间隔内。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的超材料双极化的射频基站天线,其特征在于,所述电子元件为感性电子元件、容性电子元件或者电阻。
6.根据权利要求5所述的超材料双极化的射频基站天线,其特征在于,所述空间为形成在射频天线上的焊盘。
7.根据权利要求5所述的超材料双极化的射频基站天线,其特征在于,所述感性电子元件电感值的范围在0-5uH之间。
8.根据权利要求5所述的超材料双极化的射频基站天线,其特征在于,所述容性电子元件电容值的范围在0-2pF之间。
9.根据权利要求1所述的超材料双极化的射频基站天线,所述第一馈线及第二馈线采用不同的极化工作模式。
10.根据权利要求9所述的超材料双极化的射频基站天线,所述第一馈线相对于金属微结构馈电位置的不同得到水平极化工作模式,所述第二馈线相对于金属微结构馈电位置的不同得到垂直极化工作模式。
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