[发明专利]硅基不等宽微槽道平板热管及制备方法无效
申请号: | 201110062316.X | 申请日: | 2011-03-16 |
公开(公告)号: | CN102175088A | 公开(公告)日: | 2011-09-07 |
发明(设计)人: | 闫卫平;李杰超;唐吉仁 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | F28D15/04 | 分类号: | F28D15/04 |
代理公司: | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人: | 修德金 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 不等 宽微槽道 平板 热管 制备 方法 | ||
1.一种硅基不等宽微槽道平板热管,其特征在于,所述硅基不等宽微槽道平板热管中的微槽道(12)是一簇结构相同、宽度连续变化的微槽道结构。
2.根据权利要求1所述的硅基不等宽微槽道平板热管,其特征在于,所述微槽道(12)为矩形微槽道或V形微槽道。
3.根据权利要求1或2所述的硅基不等宽微槽道平板热管,其特征在于,所述硅基不等宽微槽道平板热管包括:两片带有一簇结构相同、宽度连续变化的微槽道结构的硅基片(9),两片所述的硅基片(9)通过静电封接的方法封接在一起,组合成不等宽微槽道平板热管。
4.根据权利要求3所述的硅基不等宽微槽道平板热管,其特征在于,在所述两片硅基片(9)之间封装有玻璃环基片(14),所述玻璃环基片(14)中间通过光刻和化学腐蚀方法形成蒸汽腔(13)。
5.根据权利要求3所述的硅基不等宽微槽道平板热管,其特征在于,
所述硅基片(9)表面通过氧化作用形成一层二氧化硅薄膜。
6.一种硅基不等宽微槽道平板热管的制备方法,包括以下步骤:
第一步:采用光刻和湿法化学腐蚀的方法,将两片硅片刻蚀成具有一簇结构相同、宽度连续变化的微槽道结构的硅基片(9);
第二步:利用静电封接的方法将两个硅基片(9)封接在一起,组合成不等宽微槽道平板热管。
7.根据权利要求6所述的硅基不等宽微槽道平板热管的制备方法,其特征在于,第二步还包括:利用光刻和化学腐蚀方法,制作出尺寸与硅基片(9)相同的中间带有蒸汽腔(13)的玻璃环基片(14),利用静电封接的方法将玻璃环基片(14)与上下两个硅基片(9)封接在一起,组合成不等宽微槽道平板热管的步骤。
8.根据权利要求6所述的硅基不等宽微槽道平板热管的制备方法,其特征在于,在第一步之前还包括:将两片尺寸相同的矩形硅基片(9)进行氧化,在硅基片(9)表面形成一层二氧化硅薄膜的步骤。
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