[发明专利]硅基不等宽微槽道平板热管及制备方法无效

专利信息
申请号: 201110062316.X 申请日: 2011-03-16
公开(公告)号: CN102175088A 公开(公告)日: 2011-09-07
发明(设计)人: 闫卫平;李杰超;唐吉仁 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: F28D15/04 分类号: F28D15/04
代理公司: 大连星海专利事务所 21208 代理人: 修德金
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 不等 宽微槽道 平板 热管 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种硅基不等宽微槽道平板热管,其特征在于,所述硅基不等宽微槽道平板热管中的微槽道(12)是一簇结构相同、宽度连续变化的微槽道结构。

2.根据权利要求1所述的硅基不等宽微槽道平板热管,其特征在于,所述微槽道(12)为矩形微槽道或V形微槽道。

3.根据权利要求1或2所述的硅基不等宽微槽道平板热管,其特征在于,所述硅基不等宽微槽道平板热管包括:两片带有一簇结构相同、宽度连续变化的微槽道结构的硅基片(9),两片所述的硅基片(9)通过静电封接的方法封接在一起,组合成不等宽微槽道平板热管。

4.根据权利要求3所述的硅基不等宽微槽道平板热管,其特征在于,在所述两片硅基片(9)之间封装有玻璃环基片(14),所述玻璃环基片(14)中间通过光刻和化学腐蚀方法形成蒸汽腔(13)。

5.根据权利要求3所述的硅基不等宽微槽道平板热管,其特征在于,

所述硅基片(9)表面通过氧化作用形成一层二氧化硅薄膜。

6.一种硅基不等宽微槽道平板热管的制备方法,包括以下步骤:

第一步:采用光刻和湿法化学腐蚀的方法,将两片硅片刻蚀成具有一簇结构相同、宽度连续变化的微槽道结构的硅基片(9);

第二步:利用静电封接的方法将两个硅基片(9)封接在一起,组合成不等宽微槽道平板热管。

7.根据权利要求6所述的硅基不等宽微槽道平板热管的制备方法,其特征在于,第二步还包括:利用光刻和化学腐蚀方法,制作出尺寸与硅基片(9)相同的中间带有蒸汽腔(13)的玻璃环基片(14),利用静电封接的方法将玻璃环基片(14)与上下两个硅基片(9)封接在一起,组合成不等宽微槽道平板热管的步骤。

8.根据权利要求6所述的硅基不等宽微槽道平板热管的制备方法,其特征在于,在第一步之前还包括:将两片尺寸相同的矩形硅基片(9)进行氧化,在硅基片(9)表面形成一层二氧化硅薄膜的步骤。

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