[发明专利]智能标签、其制作方法、及具备其的商品的管理方法

权利要求书

1.一种薄膜集成电路器件的制作方法，它包括以下步骤：

在第一衬底上形成金属膜；

在该金属膜上形成由层叠含有硅的氧化膜和含有氮的绝缘膜而形成的绝缘膜；

在该绝缘膜上形成半导体膜；

形成具有该半导体膜的薄膜集成电路；

在所述半导体膜上用第一粘合剂粘合第二衬底；

分离所述第一衬底；

将所述金属膜和第三衬底用第二粘合剂粘合在一起；以及

去除所述第一粘合剂，并分离所述第二衬底，

其中，在所述金属膜上形成金属氧化物，

其中，所述金属氧化物的层内，或所述金属膜和所述金属氧化物的分界处执行分离。

2.根据权利要求1的薄膜集成电路器件的制作方法，其中包括在所述薄膜集成电路器件中的天线是通过使用导电糊膏的印刷法而形成的。

3.根据权利要求1的薄膜集成电路器件的制作方法，其中用溅射法在所述金属膜上形成所述含有硅的氧化膜。

4.根据权利要求3的薄膜集成电路器件的制作方法，其中当在所述金属膜上形成所述含有硅的氧化膜时，所述金属氧化物是由于金属被氧化而形成。

5.根据权利要求1的薄膜集成电路器件的制作方法，其中所述金属氧化物的晶化借助加热而实现。

6.根据权利要求1的薄膜集成电路器件的制作方法，其中所述去除所述第一粘合剂的工艺和固化所述第二粘合剂的工艺通过同一工艺被执行。

7.根据权利要求1的薄膜集成电路器件的制作方法，其中所述金属膜包含从W、Ti、Ta、Mo、Nd、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir中选出的元素，或是以上述金属为主要成分的合金，或是上述金属的化合物。

8.根据权利要求1的薄膜集成电路器件的制作方法，其中所述第一粘合剂是由包含紫外线剥离型树脂、热剥离型树脂、或水溶性树脂的粘合剂；或双面胶带而形成。

9.根据权利要求1的薄膜集成电路器件的制作方法，其中所述第二粘合剂是由包含紫外线固化型树脂、热固化型树脂、或水溶性树脂的粘合剂；或双面胶带而形成。

10.一种薄膜集成电路器件的制作方法，它包括以下步骤：

在第一衬底上形成金属膜；

在该金属膜上形成由层叠含有硅的氧化膜和含有氮的绝缘膜而形成的绝缘膜；

在该绝缘膜上形成半导体膜；

在该半导体膜上，在相同的一个层中形成栅电极和天线，以形成薄膜集成电路；

在所述栅电极和天线上用第一粘合剂粘合第二衬底；

分离所述第一衬底；

将所述金属膜和第三衬底用第二粘合剂粘合在一起；以及

去除所述第一粘合剂，并且分离所述第二衬底，

其中，在所述金属膜上形成金属氧化物，

其中，在所述金属氧化物的层内，或所述金属膜和所述金属氧化物的分界处执行分离。

11.根据权利要求10的薄膜集成电路器件的制作方法，其中用溅射法在所述金属膜上形成所述含有硅的氧化膜。

12.根据权利要求11的薄膜集成电路器件的制作方法，其中当在所述金属膜上形成所述含有硅的氧化膜时，所述金属氧化物是由于金属被氧化而形成。

13.根据权利要求10的薄膜集成电路器件的制作方法，其中所述金属氧化物的晶化借助加热而实现。

14.根据权利要求10的薄膜集成电路器件的制作方法，其中所述去除所述第一粘合剂的工艺和固化所述第二粘合剂的工艺通过同一工艺被执行。

15.根据权利要求10的薄膜集成电路器件的制作方法，其中所述金属膜包含从W、Ti、Ta、Mo、Nd、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir中选出的元素，或是以上述金属为主要成分的合金，或是上述金属的化合物。

16.根据权利要求10的薄膜集成电路器件的制作方法，其中所述第一粘合剂是由包含紫外线剥离型树脂、热剥离型树脂、或水溶性树脂的粘合剂；或双面胶带而形成。

17.根据权利要求10的薄膜集成电路器件的制作方法，其中所述第二粘合剂是由包含紫外线固化型树脂、热固化型树脂、或水溶性树脂的粘合剂；或双面胶带而形成。