[发明专利]一膜多用的掩膜法制备的N型太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种一膜多用的掩膜法制备的N型太阳能电池，其特征是：以n型直拉单晶硅为基体(1)，硅片的背面是覆盖有钝化膜的硼扩散制备的P型发射结(2)，硅片的正面是磷扩散制备的前表面场(3)，前表面场(3)上覆盖有起钝化和减反射作用的薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种一膜多用的掩膜法制备的N型太阳能电池，其特征是：所述的硅片背面的钝化膜为SiO2和SiNx双层钝化膜，SiNx钝化膜(5)在SiO2薄膜(4)的外层。

3.一种一膜多用的掩膜法制备N型太阳能电池的方法，其特征是：以n型直拉单晶硅为基体(1)，首先通过硼扩散制备P型发射结(2)，然后刻蚀掉正面的P型发射结，在硅片背面的P型发射结(2)上制作SiO2薄膜(4)，该SiO2薄膜(4)即是后续磷扩散制备前表面场(3)的掩膜，又是P型发射结(2)的钝化膜，最后通过磷扩散制备前表面场(3)。

4.根据权利要求3所述的一种一膜多用的掩膜法制备N型太阳能电池的方法，其特征是：其具体步骤为：

a)n型直拉单晶硅片表面形成绒面结构以减少反射；

b)硼扩散制备P型发射结(2)，方块电阻为20-150ohm/Sq；

c)刻蚀掉正面的P型发射结；

d)去硼硅玻璃；

e)在硅片背面的P型发射结(2)上制作SiO2薄膜(4)，该SiO2薄膜(4)即是后续磷扩散制备前表面场的掩膜，又是P型发射结的钝化膜；

f)磷扩散制备前表面场(3)，方块电阻为10-150ohm/Sq；

g)去PSG及在边缘形成的PN结；

h)发射极面制作SiNx钝化膜(5)，前表面场制作具有钝化和减反射作用的SiNx膜(6)；

i)制作栅线。

5.根据权利要求4所述一种一膜多用的掩膜法制备N型太阳能电池的方法，其特征是：在硼扩散完成后，用混合酸溶液或激光或腐蚀性浆料刻蚀掉正面的P型发射结。

6.根据权利要求4所述一种一膜多用的掩膜法制备N型太阳能电池的方法，其特征是：SiO2薄膜(4)是用热氧化法生长形成的，须用混合酸溶液或激光或腐蚀性浆料或等离子体刻蚀非发射极面SiO2薄膜，发射极面的SiO2薄膜(4)的厚度为100-400nm。

7.根据权利要求4所述一种一膜多用的掩膜法制备N型太阳能电池的方法，其特征是：SiO2薄膜(4)是CVD方式单面沉积形成的，发射极面的SiO2薄膜(4)的厚度为100-400nm。

8.根据权利要求4、6或7所述一种一膜多用的掩膜法制备N型太阳能电池的方法，其特征是：在磷扩散后，需用低浓度HF酸去除PSG，同时保留P型发射极面部分SiO2薄膜(4)作为钝化膜，保留的SiO2薄膜(4)的厚度为10-150nm。