[发明专利]非创伤性葛根素离子渗透给药系统的制备方法

权利要求书

1.一种非创伤性葛根素离子渗透给药系统的制备方法，其特征在于，该给药系统包括给药池、接受池、导电硅胶电极、离子渗透仪或交流电发生仪，其制备方法采取如下步骤：

选择给药池溶液和接受池溶液：给药池溶液选用pH值为5.0-5.5之间的葛根素溶液，其pH范围内离子型药物占药物总浓度的96%以上，保证离子渗透过程顺利完成，给药池中同时加入皮肤渗透促进剂，接受池溶液选用生理盐水；

置换葛根素离子交换膜：将阳离子交换膜切割成所需大小，经去离子水冲洗后，置于含有皮肤渗透促进剂的pH值为5.0-5.5之间的葛根素饱和溶液中，再经水浴摇床震荡，水浴摇床的温度为37℃，震荡时间为12hr，此时葛根素饱和溶液中的葛根素离子与阳离子交换膜进行置换，并检测被置换溶液中葛根素残留量，多次置换，直至离子交换膜上所吸附葛根素离子达到饱和；

判断是否提取完全：为确定饱和后葛根素离子交换膜的药物吸附量，用乙醇为溶剂反复提取饱和后的葛根素离子交换膜上的药物，直到最后一次提取量小于第一次提取量的10%时，认为提取完全；

葛根素离子交换膜置入导电硅胶电极：取出饱和后的葛根素离子交换膜，用吸水纸将葛根素离子交换膜表面的液层吸干，然后置入导电硅胶电极内，再将硅胶压紧，使葛根素离子交换膜和导电硅胶电极密合；

连接葛根素离子渗透给药系统：根据直流电或交流电或直流电/交流电结合的不同电源，采用离子渗透仪或交流电发生仪与给药池、接受池、导电硅胶电极连接为离子渗透水平扩散或垂直扩散方式。

2.根据权利要求1所述的非创伤性葛根素离子渗透给药系统的制备方法，其特征在于：所述的皮肤渗透促进剂选用范围包括萜烯类、醇类、氨基化合物类、阴离子表面活性剂、氮卓酮类、阳离子表面活性剂、脂肪酸、非离子表面活性剂、多元醇类、吡咯烷酮类、亚砜类、两性离子表面活性剂类及水、尿素、环糊精。

3.根据权利要求1所述的非创伤性葛根素离子渗透给药系统的制备方法，其特征在于：步骤C中的葛根素饱和溶液为采用浓度为10%的HCl溶液调节而成的。

4.根据权利要求1所述的非创伤性葛根素离子渗透给药系统的制备方法，其特征在于，步骤E中连接葛根素离子渗透给药系统时，根据电源的选择有如下三种情况：

直流电：采用电流恒定型离子渗透仪，给药池电极为Ag，接受池电极为AgCl/Ag，电流密度为0.05-0.5mA/ cm²，给药时间至少为时滞T_lag的3-4倍；

交流电：采用结合有电压放大器的交流电发生仪，施加电压为5V-80V，频率0.05Hz-1000Hz，给药池及接受池电极均为AgCl/Ag，给药时间至少为时滞T_lag的3-4倍；

直流电/交流电结合：采用结合有电压放大器的交流电发生仪，施加电压为5V-80V，频率0.05Hz-1000Hz，给药池及接受池电极均为AgCl/Ag，给药时间至少为时滞T_lag的3-4倍。