[发明专利]一种制备太阳能电池级多晶硅产品的方法

权利要求书

1.一种制备太阳能电池级多晶硅产品的方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤1、选取多晶硅原料；

步骤2、在坩埚内壁喷涂氮化硅溶液；

步骤3、将喷涂好的坩埚放入烘箱中烧结；

步骤4、将准备好的多晶硅原料装入坩埚中；

步骤5、将装好的坩埚放入定向长晶装置中进行加热至1400℃-1500℃，使多晶硅原料熔化成液态，保持一个稳定的温度梯度，定向长晶，然后退火、冷却，凝固成型多晶硅锭，炉外冷却，整个过程为48-60小时；

步骤6、将多晶硅锭粘接在晶托上，装入切割机床，设置切割参数，对多晶硅锭进行切割，将多晶硅切割成大小相等的25块；

步骤7、通过检测装置检测切割后的多晶硅块，在不达标的部位划线，放入截断机截断，切除不达标部分；

步骤8、将截断后的多晶硅块表面磨光，然后用倒角机进行倒角；

步骤9、将倒角后的多晶硅块切片。

2.如权利要求1所述的一种制备太阳能电池级多晶硅产品的方法，其特征在于：选用纯度为99.99999％的多晶硅原料。

3.如权利要求1所述的一种制备太阳能电池级多晶硅产品的方法，其特征在于：所述步骤3包括五步：第一步，常温-800℃，时间为2.5-3.5小时；第二步800℃-1100℃，时间为3-5小时；第三步，1000℃-1200℃，恒温4-6小时，第四步1100℃-800℃，时间为3.5-4.5小时；第五步，开炉自然冷却。

4.如权利要求1所述的一种制备太阳能电池级多晶硅产品的方法，其特征在于：所述氮化硅溶液为氮化硅粉末和纯水的混合溶液。

5.如权利要求1所述的一种制备太阳能电池级多晶硅产品的方法，其特征在于：所述切割参数包括：工作台速度、线速度、流量、张力和回线率。

6.如权利要求1所述的一种制备太阳能电池级多晶硅产品的方法，其特征在于：所述多晶硅锭通过聚氨酯发泡填缝剂粘连在晶托上。