[发明专利]聚合物膜、该膜的生产方法、和延迟膜、偏振片以及含有该膜的液晶显示装置

权利要求书

1.一种聚合物膜，其包含：

至少一种作为其主要成分的聚合物，和

至少一种满足关系式(1)和(2)的化合物，并且以所述至少一种聚合物的质量计，所述化合物的含量为0.2-20质量％，并且

所述聚合物膜在λnm波长下的面内延迟Re(λ)，以及在λnm波长下沿厚度方向的延迟Rth(λ)满足式(3)、(4)、(5)和(6)：

(1)360nm≤λmax≤400nm

(2)λ_1/2-λmax≤20nm

其中，λmax表示所述化合物的最大吸收波长(单位：nm)，λ_1/2(λmax＜λ_1/2)表示吸收强度为λmax下吸收强度1/2时的波长，

(3)Re(450)-Re(550)≤0nm

(4)Rth(450)-Rth(550)≥0nm

(5)60nm≤Re(550)≤100nm

(6)40nm≤Rth(550)≤80nm。

2.如权利要求1的聚合物膜，其满足式(3′)和(4′)：

(3′)-150nm≤Re(450)-Re(550)≤0nm

(4′)150nm≥Rth(450)-Rth(550)≥0nm。

3.如权利要求1的聚合物膜，其满足式(3″)和(4″)：

(3″)-50nm≤Re(450)-Re(550)≤-3nm

(4″)50nm≥Rth(450)-Rth(550)≥3nm。

4.如权利要求1的聚合物膜，其中，所述化合物是由式(I)表示的部花青化合物，并且所述化合物的λmax满足370nm≤λmax≤400nm：

其中N表示氮原子；和R¹至R⁷各自表示氢原子或取代基。

5.如权利要求4的聚合物膜，其中，在式(1)中，R¹和R²各自表示取代或未取代的烷基，并且它们可以彼此连接形成包含氮原子的环；R⁶和R⁷各自表示哈米特取代基常数σp至少为0.2的取代基，或者R⁶和R⁷彼此连接形成环状的活性亚甲基化合物结构；以及R³、R⁴和R⁵是氢原子。

6.如权利要求1的聚合物膜，其中所述化合物是由式(Ia)表示的部花青化合物：

其中R¹¹和R¹²各自表示烷基、芳基、氰基或-COOR¹³，或者它们彼此连接形成包含氮原子的环；R⁶和R⁷各自表示氰基、-COOR¹⁴或-SO₂R¹⁵，或者它们彼此连接形成下列环状的活性亚甲基结构(Ia-1)至(Ia-6)中的任一种；R¹³、R¹⁴和R¹⁵各自表示烷基、芳基或杂环基：

其中每个^＊＊表示基团在该位置连接至式(Ia)；R^a和R^b各自表示氢原子或C₁-C₂₀烷基；和X表示氧原子或者硫原子。

7.如权利要求6的聚合物膜，其中所述由式(Ia)表示的部花青化合物是由式(Ia-a)、(Ia-b)或(Ia-c)表示的化合物：

其中R^6a和R^7a、R^6b和R^7b、以及R^6c和R^7c分别与式(Ia)中的R⁶和R⁷具有相同的含义。

8.如权利要求1的聚合物膜，其中，所述化合物是由式(II)表示的苯并二硫醇化合物，并且所述化合物的λmax满足387nm≤λmax≤400nm：

其中S表示硫原子；R²¹至R²⁶各自表示氢原子或取代基，并且任选地，它们彼此连接成环。