[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

基底；

有源区域，在基底上并包括在有源区域的相对端处的源极区域和漏极区域、与源极区域或漏极区域相邻的至少一个轻掺杂区域、多个沟道区域和在所述多个沟道区域中的两个沟道区域之间的高掺杂区域；

栅绝缘层，在有源区域上；

多栅电极，包括在栅绝缘层上的多个栅电极，所述多个沟道区域设置在对应的栅电极下方，所述源极区域和漏极区域被设置为与所述多栅电极的最外部相邻；

第一层间绝缘层，在所述多栅电极上；

源电极和漏电极，所述源电极延伸通过第一层间绝缘层并与源极区域接触，所述漏电极延伸通过第一层间绝缘层并与漏极区域接触。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述高掺杂区域的一部分与所述多栅电极的对应的栅电极叠置。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述至少一个轻掺杂区域包括与所述漏极区域相邻的第一轻掺杂区域。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，所述至少一个轻掺杂区域包括与所述源极区域相邻的第二轻掺杂区域。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，源极区域、漏极区域、高掺杂区域和所述至少一个轻掺杂区域是用p型掺杂剂掺杂的。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，源极区域、漏极区域、高掺杂区域和所述至少一个轻掺杂区域是用n型掺杂剂掺杂的。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述多栅电极仅具有两个栅电极。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述多栅电极包括三个栅电极。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述有源区域包括多晶硅。

10.一种包括如权利要求1所述薄膜晶体管的有机发光装置。

11.一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：

在基底上形成有源层；

在有源层上形成栅绝缘层；

在栅绝缘层上形成保护层；

通过使用保护层作为掩模以高掺杂浓度掺杂有源层来在有源层中形成源极区域、漏极区域和高掺杂区域；

在去除保护层和形成源极区域、漏极区域和高掺杂区域之后，在基底上形成多栅电极；

在有源层的由所述多栅电极暴露的未掺杂部分中形成至少一个轻掺杂区域；

在形成所述至少一个轻掺杂区域之后，在所述多栅电极上形成第一层间绝缘层；

形成延伸通过第一层间绝缘层并与源极区域接触的源电极，并形成延伸通过第一层间绝缘层且与漏极区域接触的漏电极。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述高掺杂区域的一部分形成为与所述多栅电极中的对应的栅电极叠置。

13.如权利要求11所述的方法，其中，有源层包括多晶硅。

14.如权利要求11所述的方法，其中，形成所述至少一个轻掺杂区域的步骤包括形成与漏电极相邻的第一轻掺杂区域。

15.如权利要求14所述的方法，其中，形成所述至少一个轻掺杂区域的步骤包括形成与源电极相邻的第二轻掺杂区域。

16.如权利要求14所述的方法，其中，与有源层的形成所述至少一个轻掺杂区域的部分叠置的保护层的宽度比与有源层的形成所述至少一个轻掺杂区域的所述部分相邻的栅电极的宽度宽。

17.如权利要求11所述的方法，其中，使用p型掺杂剂形成具有高掺杂浓度的高掺杂区域或具有低掺杂浓度的轻掺杂区域。

18.如权利要求11所述的方法，其中，使用n型掺杂剂形成具有高掺杂浓度的高掺杂区域或具有低掺杂浓度的轻掺杂区域。

19.如权利要求11所述的方法，其中，所述多栅电极包括三个栅电极。

20.如权利要求11所述的方法，所述方法还包括在基底和有源层之间形成基体层。