[发明专利]降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构无效
| 申请号： | 201110064481.9 | 申请日： | 2011-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN102163804A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 祁琼;熊聪;王俊;郑凯;刘素平;马骁宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/223 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 大功率 半导体激光器 发散 波导 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构，包括：
一衬底；
一N型限制层，该N型限制层制作在衬底上；
一N型波导层，该N型波导层制作在N型限制层上；
一量子阱层，该量子阱层制作在N型波导层上；
一P型波导层，该P型波导层制作在量子阱层上；
一P型限制层，该P型限制层制作在P型波导层上。
2.根据权利要求1所述的降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构，其中N型波导层为N型铝镓砷材料。
3.根据权利要求1所述的降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构，其中量子阱层为铟镓砷或铝镓铟砷材料，该材料的激射波长对应于800nm-1000nm。
4.根据权利要求1所述的降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构，其中P型波导层为P型铝镓砷材料。
5.根据权利要求1所述的降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构，其中N型波导层的厚度范围为50nm-90nm。
6.根据权利要求1所述的降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构，其中P型波导层的厚度范围为50nm-90nm。
7.根据权利要求1所述的降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构，其中N型波导层的铝组分为渐变的，范围从0.2-0.5。
8.根据权利要求1所述的降低大功率半导体激光器发散角的窄波导结构，其中P型波导层的铝组分为渐变的，范围从0.2-0.5。
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