[发明专利]粘合剂组合物、半导体晶片保护膜形成用片材

说明书

技术领域

本发明涉及一种粘合剂组合物、半导体晶片保护膜形成用片材，该半导体晶片保护膜形成用片材，在切割半导体晶片时，用来形成保护半导体晶片背面的膜(薄膜)。

背景技术

为了减小半导体芯片的构装面积，目前使用倒装芯片连接法。在此连接法中，通常采用下述顺序：(1)在半导体晶片的表面形成电路及连接用凸点，(2)将半导体晶片的背面研磨至预定的厚度为止，(3)切割半导体晶片，获得半导体芯片，(4)将此芯片的电路形成面朝向基板侧而连接于基板，然后，(5)进行树脂密封等以保护半导体芯片。

但是，在(2)研磨工序中会在半导体晶片背面形成微小的条纹状的刮痕，这些刮痕有时会成为在切割工序中或封装之后产生龟裂(crack)的原因。因此，有人提出在(2)研磨工序之后于背面形成保护膜(芯片用保护膜)，以使得即使在研磨工序中产生这种条纹状的刮痕，也不会对之后的工序造成不良影响，并且，为了形成这种保护膜，提出了一种包含脱模片(release sheet)及形成在其脱模面上的保护膜形成层的片材(日本专利特开2002-280329号公报、日本专利特开2004-260190号公报)。

另一方面，众所周知在所述切割工序中，存在因旋转刀的振动等而晶片损伤(以下称为“碎裂(chipping)”)的情况。

也期待所述芯片用保护膜可以防止切割工序中的碎裂，但是当此保护膜不平坦时，切割膜与保护膜之间产生间隙，出现切割膜与保护膜不接触的部分。由于此保护膜的不平坦性，存在空气层不均匀地分布在保护膜与切割薄膜之间，结果在切断晶片时使旋转刀振动，更严重地损伤晶片的问题。

发明内容

因此，本发明的目的在于解决此问题，提供一种半导体晶片保护膜形成用片材及粘合剂组合物，该半导体晶片保护膜形成用片材可以形成平坦性、切断特性和粘合性优异的保护膜而该粘合剂组合物能够实现此半导体晶片保护膜形成用片材的保护膜形成层。

为了解决所述课题，本发明提供一种粘合剂组合物，其至少含有：

(A)苯氧树脂100质量份；

(B)分子中具有至少2个环氧基的环氧树脂5～200质量份；

(C)烷氧基硅烷部分水解缩合物1～20质量份，其是通过包含至少下述通式(1)及(2)所示的烷氧基硅烷中的1种或2种以上的烷氧基硅烷进行水解缩合反应而合成的部分水解缩合物，重均分子量为300以上且30000以下，残留烷氧基量为2wt％以上且50wt％以下，

Si(OR³)₄(1)

R¹Si(OR³)₃(2)

(式中，R³是碳数1～3的烷基，R¹是碳数1～3的烷基、苯基、氧杂环丁基(oxetanyl)、乙烯基、羟基、氨基、(甲基)丙烯酰氧基、异氰酸酯基及γ-环氧丙氧基中的任一个，彼此可以相同或者也可以不同)；

(D)有效量的环氧树脂固化催化剂；

(E)无机填充剂，其相对于所述(A)、(B)、(C)及(D)成分的总量100质量份为5～900质量份；及

(F)沸点为80℃～180℃，25℃下的表面张力为20～30dyne/cm的极性溶剂，其相对于所述(A)、(B)、(C)、(D)及(E)成分的总量100质量份为10～300质量份。

如果使用这种粘合剂组合物，则可以形成平坦性及粘合性优异，切片机(dicer)的切断特性优异的保护膜。

另外，所述(C)成分烷氧基硅烷部分水解缩合物优选的是通过所述通式(1)及(2)所示的烷氧基硅烷中的1种或2种以上的烷氧基硅烷、与下述通式(3)所示的烷氧基硅烷进行水解缩合反应而合成的部分水解缩合物。

R²₂Si(OR³)₂(3)

(式中，R³与以上所述的R³相同。R²是碳数1～3的烷基、苯基、氧杂环丁基、乙烯基、羟基、氨基、(甲基)丙烯酰氧基、异氰酸酯基及γ-环氧丙氧基中的任一个，彼此可以相同或者也可以不同)