[发明专利]像素电路基板、显示装置、电子设备及基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及像素电路基板、显示装置、电子设备及像素电路基板的制造方法。

背景技术

近年来，作为继液晶显示装置(LCD)之后的下一代显示装置，具有沿行方向及列方向二维地排列了有机场致发光元件(以下、简称为“有机EL(Electro Luminescence)元件”)等自发光元件的显示元件型的显示面板的显示装置的面向正式的实用化、普及的研究开发正在盛行。

有机EL元件具备正极、负极及在这些电极之间形成的有机薄膜层(电子注入层、发光层、空穴注入层等)。有机EL元件是通过由在发光层中从空穴注入层供给的空穴与从电子注入层供给的电子进行复合而产生的能量而发光的显示元件。通过对有机薄膜层施加规定的电压阈值以上的电压而实现该发光，对应于该施加电压而控制该发光亮度。这样的有机EL元件如专利文献1所公开的那样，在各种电子设备中用于显示装置，被例如包括TFT(薄膜晶体管；Thin Film Transistor)等的像素驱动电路驱动。

TFT在通过电极的配置和膜的构成分类而成的各种形式中，存在如下逆交错型TFT：如图21A、图21B所示，栅电极112以被栅极绝缘膜113覆盖的状态位于基板11上，源电极118和漏电极119将半导体层114夹在中间配置在栅电极112的上侧。在这样的TFT中，已知如下TFT：如该图所示，在源电极118、漏电极119与半导体层114之间，存在用于低电阻接触的欧姆接触层120，而且，在源电极118、漏电极119之间的半导体层114上具有沟道保护膜115。

在如图21A、图21B所示的沟道保护膜形的构造的TFT中，源电极118、漏电极119与沟道保护膜115重叠(overlap)地形成(参照图21B的矩形的重叠区域116、117)。

在大面积的基板11上按各发光像素形成这样结构的TFT的情况下，有时因光刻装置和曝光装置(stepper)中的激光照射用掩模的校准偏差和基板11的翘曲等，而引起源电极118、漏电极119的形成位置相对于栅电极112，例如，如图21C(i)、图21C(iii)所示在基板面上左右(行方向)偏移。

在图21C(ii)中，示出了源电极118、漏电极119的形成位置像设计那样，没有从所期望的位置产生位置偏移的情况。在图21C(i)中，示出了源电极118、漏电极119的形成位置，与相对于栅电极112、沟道保护膜115的所期望的位置、即图21C(ii)中的位置相比较，更向右方向产生位置偏移的情况。而且，在图21C(iii)中，示出了源电极118、漏电极119的形成位置，与相对于栅电极112、沟道保护膜115的所期望的位置相比较，向左方向产生位置偏移的情况。

源电极118和沟道保护膜115相重叠的面积与漏电极119和沟道保护膜115相重叠的面积之差，可以用该左右的位置偏移量来定义，换而言之，源电极118的电场及漏电极119的电场各作用于沟道保护膜115的程度依存于上述位置偏移量。因此，若这样的TFT是n沟道型晶体管，则在如图21C(i)所示的情况下，与图22A中实线表示的图21C(ii)的适合的情况相比较，如图22A中虚线所示具有如下倾向：相对于所施加的栅极电压Vg[V]，沟道电流Ic[A]一般变大。另一方面，在如图21C(iii)所示的情况下，与图22A中实线所示的图21C(i i)的适合的情况相比较，如图22A的一点划线所示具有如下倾向：相对于所施加的栅极电压Vg[V]，沟道电流Ic[A]一般变小。

在图22B中，用曲线示出了位置偏移量(μm)与从漏极向源极流动的电流I(A)、从源极向漏极流动的电流I(A)之间的关系，其中，该位置偏移量是图21A、图21B所示的源电极118、漏电极119相对于栅电极112的左右方向的位置偏移量(μm)，即从图21C(ii)所示的适合的状态向源极侧(左侧)靠近的位置偏移或向漏极侧(右侧)靠近的位置偏移时的相应位置偏移量。特别是，如图21A、图21B所示的沟道保护膜构造的TFT的情况下，伴随沟道保护膜115的相对于所期望位置的构图位置偏移及源电极118、漏电极119的相对于所期望位置的构图位置偏移而产生的、源电极118和沟道保护膜115重叠的重叠区域116的面积与漏电极119和沟道保护膜115重叠的重叠区域117的面积之差也依存于上述位置偏移量。