[发明专利]硅膜/二氧化钛纳米管阵列复合结构的制备方法

权利要求书

1.一种硅膜/二氧化钛纳米管阵列复合结构的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)、钛片的预处理：将钛片先分别于丙酮、乙醇溶液中超声清洗，风干，然后浸于体积比为HF∶HNO₃∶H₂O＝1∶4∶5的混合酸液中蚀刻，最后用去离子水清洗，并放于空气中风干；

2)、采用一步阳极氧化法制备TiO₂纳米管阵列：

经预处理的钛片、石墨电极分别接到直流稳压电源的正、负极，体积分数为0.1％-0.5％的氢氟酸溶液为电解质，施加直流电压15-30V，10-30min反应完毕后，将样品放在管式炉中按如下条件锻烧：从室温升到400-600℃，然后保温1h再冷却到室温，即可制得TiO₂纳米管阵列；

3)、化学气相沉积Si膜：利用化学气相沉积方法在TiO₂纳米管阵列膜上沉积Si，沉积参数为：衬底温度＝200℃，功率＝10W，气压＝69Pa，SiH₄流量＝1-4sccm，H₂流量＝4-16sccm，沉积时间＝10-30min，即可得到厚度约为200-500nm的Si膜；

4)、Si膜的退火晶化：将沉积得到的Si/TiO₂复合结构放在石英管式炉中按如下条件退火：在H₂和Ar气气氛保护下，从室温升到600-700℃，然后保温1-2h再随炉冷却到室温，即可制得晶化的Si膜/TiO₂纳米管阵列复合结构。