[发明专利]超临界干燥方法以及超临界干燥系统

权利要求书

1.一种超临界干燥方法，包括：

向腔中引入其表面被超临界置换溶剂润湿的半导体衬底；

向所述腔供应基于第一二氧化碳的第一超临界流体；

在供应所述第一超临界流体之后，向所述腔供应基于第二二氧化碳的第二超临界流体，所述第二二氧化碳不包含超临界置换溶剂或者所包含的所述超临界置换溶剂的浓度小于所述第一二氧化碳所包含的所述超临界置换溶剂的浓度；

降低所述腔的内部压力以气化所述第二超临界流体并从所述腔排出气化的所述第二超临界流体；以及

回收和再生从所述腔排出的二氧化碳。

2.根据权利要求1的超临界干燥方法，

其中回收从所述腔排出的二氧化碳且然后将其再生作为所述第一二氧化碳。

3.根据权利要求2的超临界干燥方法，

其中在向所述腔供应所述第一超临界流体的同时，回收从所述腔排出的二氧化碳并将其再生为所述第一二氧化碳，并且

在向所述腔供应所述第二超临界流体的同时，回收从所述腔排出的二氧化碳并将其再生为所述第二二氧化碳。

4.根据权利要求1的超临界干燥方法，

其中当所述腔的所述内部压力小于二氧化碳的临界压力时向所述腔供应所述第一超临界流体，并且

当所述腔的所述内部压力大于等于二氧化碳的临界压力时向所述腔供应所述第二超临界流体。

5.根据权利要求1的超临界干燥方法，

其中，在所述腔的所述内部压力达到预定的值时以及当尚未经过基于在所述半导体衬底上的超临界置换溶剂的量的时间时，向所述腔供应所述第一超临界流体，而当经过了所述时间时向所述腔供应所述第二超临界流体。

6.根据权利要求1的超临界干燥方法，

其中将从所述腔排出的二氧化碳再生为所述第一二氧化碳包括通过气-液分离器使所述超临界置换溶剂与二氧化碳分离并回收所述超临界置换溶剂，并且

基于所回收的超临界置换溶剂的量的变化，确定将向所述腔供应的所述超临界流体从所述第一超临界流体改变为所述第二超临界流体的时机。

7.根据权利要求1的超临界干燥方法，

其中获得所述腔内的分光特性，并且

基于所述分光特性的变化，确定将向所述腔供应的所述超临界流体从所述第一超临界流体改变为所述第二超临界流体的时机。

8.根据权利要求1的超临界干燥方法，还包括：在向所述腔中引入所述半导体衬底之前，

使用化学液体清洗所述半导体衬底；

在清洗所述半导体衬底之后，使用纯水冲洗所述半导体衬底；以及

在使用纯水冲洗所述半导体衬底之后，使用用作所述超临界置换溶剂的醇冲洗所述半导体衬底。

9.根据权利要求1的超临界干燥方法，

其中所述超临界置换溶剂为由选自醇(低级醇或高级醇)、氟代醇、氯氟烃(CFC)、氢氟烃(HCFC)、氢氟醚(HFE)、全氟化碳(PFC)、卤代醛、卤代酮、卤代二酮、卤代酯、以及卤代硅烷的材料形成的物质。