[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

具备：

第1导电型的漂移区域，从第1导电型的漏极层的表面到内部，有选择地被设于上述漏极层；

第2导电型的基极区域，从上述漂移区域的表面到内部，有选择地被设于上述漂移区域；

第1导电型的源极区域，从上述基极区域的表面到内部，有选择地被设于上述基极区域；

沟槽状的门极电极，在相对于上述漏极层的主面大致平行的方向上，从上述源极区域的一部分贯通与上述源极区域的上述一部分邻接于的基极区域，到达上述漂移区域的一部分；

第2导电型的接触区域，包含有比上述基极区域的杂质浓度高的浓度的杂质，有选择地被设于上述漂移区域的表面；

漏极电极，被连接于上述漏极层；以及

源极电极，被连接于上述源极区域及上述接触区域；

上述接触区域从上述漏极层侧朝向上述漂移区域延伸，与上述漏极层不接触。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在上述接触区域与上述漏极层之间，夹设有上述漂移区域。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述接触区域于上述漂移区域的表面、从上述漏极层侧朝向上述漂移区域延伸。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述接触区域于上述漂移区域的表面、从上述漏极层侧朝向上述漂移区域延伸、还接触于上述基极区域。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在上述漏极层之上，还设有绝缘层。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，上述绝缘层接触于上述接触区域及上述漂移区域。

7.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，上述接触区域于上述漂移区域的表面相对于上述绝缘层大致平行地延伸，并离开上述绝缘层而被配置。

8.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，在上述接触区域的下表面与上述绝缘层的下表面之间具有阶差。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，从相对于上述漂移区域的表面垂直的方向观察，上述接触区域被上述漂移区域夹着。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

从相对于上述漂移区域的表面垂直的方向观察，

上述门极电极延伸到上述漂移区域，

上述接触区域从上述漏极层侧延伸到相互邻接的上述门极电极之间的上述漂移区域。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述接触区域于上述漂移区域的表面、从上述漏极层侧朝向上述漂移区域延伸，在上述漂移区域的表面的中途中断。

12.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在上述漏极层之上还设有绝缘层；

上述绝缘层接触于上述接触区域及上述漂移区域；

上述接触区域沿着上述绝缘层与上述漂移区域的界面，在上述漂移区域的表面延伸。

13.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，从相对于上述漂移区域的表面垂直的方向观察，第1门极电极在上述第1基极区域延伸的方向上被排列的间距、与第2门极电极在上述第2基极区域延伸的方向上排列的间距不一致，所述第1门极电极是将与上述源极区域邻接的第1基极区域贯通的，所述第2门极电极是将在与上述第1基极区域相反侧而邻接于上述源极区域的第2基极区域贯通的。

14.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，从相对于上述漂移区域的表面垂直的方向观察，上述门极电极将上述源极区域、邻接于上述源极区域的第1基极区域、和在与上述第1基极区域相反侧邻接于上述源极区域的第2基极区域贯通。

15.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述漂移区域被经由上述漏极层分割为第1漂移区域和第2漂移区域；

从上述第1漂移区域的表面到内部，有选择地设有上述基极区域；

在经由上述漏极层与上述第1漂移区域邻接的第2漂移区域的表面，有选择地设有上述接触区域。