[发明专利]荧光体和使用荧光体的发光装置

权利要求书

1.一种荧光体，其包含无机化合物，该无机化合物是如下获得的：制备原料混合物，该原料混合物是金属化合物的混合物，再将该原料混合物在包含氮的非活性气氛中于1200～2200℃的温度范围进行焙烧而得到的，所述原料混合物至少包含M元素、A元素、D元素、E元素、和X元素，其中M是选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、和Yb的一种或两种或多种元素，A是选自除M元素以外的二价金属元素的一种或两种或多种元素，D是选自四价金属元素的一种或两种或多种元素，E是选自三价金属元素的一种或两种或多种元素，以及X是选自O、N、和F的一种或两种或多种元素，所述无机化合物具有上述各元素、且具有与CaAlSiN₃相同的晶体结构。

2.权利要求1的荧光体，其中，所述金属化合物的混合物包含：含有M的化合物、含有A的化合物、含有D的化合物、含有E的化合物、以及含有X的化合物。

3.权利要求2的荧光体，其中，所述金属化合物的混合物至少含有氮化铕、氮化钙、氮化硅和氮化铝。

4.权利要求2的荧光体，其中，所述金属化合物的混合物至少含有氧化铕、氮化钙、氮化硅和氮化铝。

5.权利要求3的荧光体，其中，所述金属化合物的混合物至少含有氮化锶。

6.权利要求4的荧光体，其中，所述金属化合物的混合物至少含有氮化锶。

7.权利要求1的荧光体，其中，气氛气体压力大于0.1MPa且为1MPa以下。

8.权利要求1的荧光体，其中，以保持在40％以下的体积填充率的状态将粉末或聚集体形状的金属化合物填充到容器中，然后进行焙烧。

9.权利要求1的荧光体，其中，焙烧所使用的容器是氮化硼焙烧制品。

10.权利要求8的荧光体，其中，所述金属化合物的聚集体的平均粒径为500μm以下。

11.权利要求1的荧光体，其中，焙烧装置是专门利用常压焙烧法或气压焙烧法的装置，而不是利用热压的装置。

12.权利要求1的荧光体，其中，利用选自粉碎、分级的一种或多种方法将通过焙烧而合成的荧光体粉末的平均粒径调整为粒度0.1μm以上20μm以下。

13.一种荧光体，其包含无机化合物，该无机化合物的组成至少包含M元素、A元素、D元素、E元素、和X元素，其中M是选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、和Yb的一种或两种或多种元素，A是选自除M元素以外的二价金属元素的一种或两种或多种元素，D是选自四价金属元素的一种或两种或多种元素，E是选自三价金属元素的一种或两种或多种元素，以及X是选自O、N、和F的一种或两种或多种元素，以及该无机化合物具有与CaAlSiN₃相同的晶体结构。

14.权利要求13的荧光体，其包含由组成式M_aA_bD_cE_dX_e表示的无机化合物，其中a+b＝1以及M是选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、和Yb的一种或两种或多种元素，A是选自除M元素以外的二价金属元素的一种或两种或多种元素，D是选自四价金属元素的一种或两种或多种元素，E是选自三价金属元素的一种或两种或多种元素，以及X是选自O、N、和F的一种或两种或多种元素，该无机化合物由其中参数a、c、d和e满足以下所有条件的组成表示：

0.00001≤a≤0.1...............................(i)

0.5≤c≤4.....................................(ii)

0.5≤d≤8.....................................(iii)

0.8×(2/3+4/3×c+d)≤e........................(iv)

e≤1.2×(2/3+4/3×c+d)........................(v)，

以及其具有与CaAlSiN₃相同的晶体结构。