[发明专利]固体摄像装置及其制造方法

权利要求书

1.一种固体摄像装置，其特征在于，包括：

第1导电型的扩散层，形成于上述第1导电型的半导体衬底表面内，上述扩散层发挥累积电子的电荷累积部的功能，上述电子是通过从上述半导体衬底的背面侧向表面侧照射的光而在上述半导体衬底内生成的；

第2导电型的第1扩散层、第2扩散层，以夹着上述电荷累积部且从上述半导体衬底表面到达该半导体衬底内的方式而形成；以及

p型的非晶硅化合物，埋入形成于上述半导体衬底的上述背面侧的第1槽、第2槽，该第1槽、第2槽将上述电荷累积部电分离。

2.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，

上述p型的非晶硅化合物是含有碳或者氮中的任一种的化合物。

3.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，

在上述半导体衬底中，在上述第1扩散层中形成上述第1槽，在上述第2扩散层中形成上述第2槽。

4.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，

在上述半导体衬底中，上述第1扩散层至少与上述第1槽的底面的一部分连接，上述第2扩散层至少与上述第2槽的底面的一部分连接。

5.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，

在上述半导体衬底内产生使生成的上述电子向上述电荷累积层集中的电场，

在上述第1扩散层、第2扩散层中形成的上述第1槽、第2槽的深度，与和上述电荷累积层周边相比上述电场较弱的区域相当。

6.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，

上述p型的非晶硅化合物的带隙宽度大于用作上述半导体衬底的材料的带隙宽度。

7.根据权利要求4所述的固体摄像装置，其特征在于，

上述半导体衬底的膜厚为第1膜厚和比该第1膜厚大的第2膜厚中的任一个。

8.一种固体摄像装置，其特征在于，包括：

第1导电型的半导体层，在上述半导体层的表面，相互隔离地形成有上述第1导电型的第1扩散层、第2扩散层；以及

第2导电型的像素分离层，形成于上述半导体层内，防止通过从上述半导体基层的背面向表面照射的光而生成的电子向相邻接的上述第2扩散层累积，上述像素分离层的带隙宽度比上述半导体层的带隙宽度大。

9.根据权利要求8所述的固体摄像装置，其特征在于，还包括：

第1槽，将上述第1扩散层和上述第2扩散层电分离，形成于上述半导体层的上述背面侧；以及

埋设于上述第1槽内的p型的非晶硅化合物，上述p型的非晶硅化合物是含有碳或者氮中的任一种的化合物，

上述第1槽形成于上述像素分离层中。

10.根据权利要求8所述的固体摄像装置，其特征在于，还包括：

第1槽，将上述第1扩散层和上述第2扩散层电分离，形成于上述半导体层的上述背面侧；以及

埋设于上述第1槽内的p型的非晶硅化合物，上述p型的非晶硅化合物是含有碳或者氮中的任一种的化合物，

上述第1槽的底面至少与上述像素分离层的一部分连接。

11.根据权利要求9所述的固体摄像装置，其特征在于，

在上述半导体层内产生使生成的上述电子向上述第1扩散层、第2扩散层集中的电场，

形成于上述像素分离层中的上述第1槽的深度，与和上述第1扩散层、第2扩散层周边相比上述电场较弱的区域相当。

12.根据权利要求8所述的固体摄像装置，其特征在于，

上述半导体层的膜厚为第1膜厚和比该第1膜厚大的第2膜厚中的任一个。

13.根据权利要求8所述的固体摄像装置，其特征在于，还包括：

第1槽，将上述第1扩散层和上述第2扩散层电分离，形成于上述半导体层的上述背面侧；以及

埋设于上述第1槽内的i型的非晶硅化合物，上述i型的非晶硅化合物是含有碳或者氮中的任一种的化合物。