[发明专利]储气钢瓶纯化方法和系统

说明书

技术领域

本发明涉及气体生产技术领域，特别是涉及一种储气钢瓶纯化方法和系统。

背景技术

在光伏器件的制造和半导体器件制造的过程中会用到多种反应气体，例如在利用化学气相沉积(CVD)工艺沉积薄膜时。在薄膜太阳能电池的制造过程中也会使用大量的硅烷(SiH₄)气体和锗烷(GeH₄)气体，利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺沉积各种非晶硅、微晶硅和纳米硅、非晶锗以及非晶硅锗薄膜。

锗烷是有毒、易燃和无色的气体。在室温和大气压力下，具有特有的刺激性气味。锗烷的热稳定性比硅烷差，大约280℃就能检测到锗烷分解为锗和氢。因此锗烷的生产较比硅烷成本更高也具危险性。

成品锗烷钢瓶经过使用后，瓶内一般还会剩余一定压力的锗烷气体，为了保证再次充装时产品的纯度以及充装时的安全问题，必须对锗烷钢瓶进行纯化。

发明内容

本发明的目的在于提供一种储气钢瓶纯化方法和系统，可直接应用于锗烷气体生产企业对锗烷钢瓶的纯化。

为达到上述目的，本发明提供的一种储气钢瓶纯化系统，包括至少一条测漏路径、排空路径和抽真空路径，所述测漏路径的一端连接于气源，另一端通过阀门与钢瓶连接；所述排空路径的一端连接于吸收塔，另一端通过阀门与钢瓶连接；所述抽真空路径的一端连接于真空泵，另一端通过阀门与钢瓶连接；所述真空泵与所述吸收塔连接。

可选的，所述系统还包括至少一个钢瓶连接区，所述钢瓶连接区包括复数个分支管路，至少一个钢瓶通过所述分支管路之一与所述路径连接。

可选的，所述阀门的材料为316不锈钢。

可选的，所述系统还包括杂质吸收塔，所述气源中的气体经该杂质吸收塔后进入测漏路径。

可选的，所述气源中的气体包括氮气、氩气、氦气或上述气体的混合气。

可选的，所述气源和杂质吸收塔之间具有气体压力调节阀。

可选的，所述系统还包括压力表，用于检测钢瓶内气体压力。

本发明相应地提供了一种储气钢瓶纯化方法，包括下列步骤：

连接至少一个钢瓶；

系统测漏；

瓶内压力测试；

钢瓶瓶阀通过性测试；

对钢瓶内剩余气体进行稀释；

排空稀释后的气体；

对系统中的所有钢瓶抽真空。

可选的，所述连接钢瓶的步骤为将至少一个钢瓶连接于具有复数个分支管路的钢瓶连接区。

可选的，所述稀释气体包括氮气、氩气、氦气或上述气体的混合气。

附图说明

通过附图中所示的本发明的优选实施例的更具体说明，本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按比例绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。

图1和图2为本发明系统的结构示意图；

图3为本发明方法的流程图。

所述示图是示意性的，而非限制性的，在此不能过度限制本发明的保护范围。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

图1和图2为本发明系统的结构示意图。首先结合图1和图2所示，本发明的储气钢瓶纯化系统可以是单路系统也可以是多路系统。根据本发明的实施例，图1所示为单路经系统，图2所示为双路径系统。在图1中，包括一条测漏路径P-V1-V7、排空路径S-V2-V7和抽真空路径VP-V3-V7。在图2所示双路径系统中，测漏路径包括P-V1-V7和P-V6-V9、排空路径S-V2-V7和S-V5-V9，以及抽真空路径VP-V3-V7和VP-V4-V9。阀门V7和V9连接钢瓶。

下面以图1所示的单路经系统为例对本发明的储气钢瓶纯化系统进行说明。上述测漏路径P-V1-V7的一端连接于气源P，另一端通过阀门V7与钢瓶连接；所述排空路径S-V2-V7的一端连接于锗烷尾气吸收塔S，另一端通过阀门V7与钢瓶连接；所述抽真空路径VP-V3-V7的一端连接于真空泵VP，另一端通过阀门V7与钢瓶连接；真空泵VP与锗烷尾气吸收塔S连接，以便将真空泵抽出的气体经吸收塔净化后再排入大气。

此外，本发明的系统还包括压力表G1和G2，可根据需要更换不同量程及精确度，用于监测钢瓶内气体压力。