[发明专利]一种高位取能电压变换电路有效

专利信息
申请号: 201110066786.3 申请日: 2011-03-18
公开(公告)号: CN102201737A 公开(公告)日: 2011-09-28
发明(设计)人: 谢敏华;易荣;庞辉;冯静波;潘艳 申请(专利权)人: 中国电力科学研究院
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335;H02M1/32;H02M1/14
代理公司: 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 代理人: 徐国文
地址: 100192 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 高位 电压 变换 电路
【权利要求书】:

1.一种高位取能电压变换电路,其特征在于,所述电路由三相六桥臂构成,所述上下桥臂由桥臂电抗器连接起来;所述每个桥臂由高压功率模块级联而成;所述高压功率模块包括高压模块、电容和高位取能设备;所述高压模块、电容和高位取能设备依次并联。

2.如权利要求1所述的高位取能电压变换电路,其特征在于,所述高压模块包括IGBT控制器、全控型电力电子器件IGBT、二极管D、保护设备和控制设备;所述IGBT控制器包括IGBT1控制器和IGBT2控制器;所述全控型电力电子器件IGBT包括IGBT1和IGBT2;所述二极管D包括D3和D4。

3.如权利要求2所述的高位取能电压变换电路,其特征在于,所述IGBT1和二极管D3反并联组成可关断晶闸管G1;所述IGBT2和二极管D4反并联组成可关断晶闸管G2;所述控制设备、IGBT1控制器和可关断晶闸管G1依次串联;所述保护设备、IGBT2控制器和可关断晶闸管G2串联连接;所述控制设备与所述保护设备串联;所述IGBT1控制器与IGBT2控制器并联;所述可关断晶闸管G1和可关断晶闸管G2串联。

4.如权利要求1所述的高位取能电压变换电路,其特征在于,所述高位取能设备包括缓冲吸收电路和开关电源电路;所述缓冲吸收电路包括电阻R1、电容C2和二极管D2;所述电阻R1和电容C2并联后和二极管D2串联;所述开关电源电路包括变压器T1、电感LLT、二极管D1、电容C1、控制芯片和MOS管Tr;所述变压器T1的一次绕组和电感LLT串联;所述变压器T1的二次绕组、二极管D2和电容C1串联连接;所述控制芯片和MOS管Tr的栅极连接;所述MOS管Tr的漏极分别与电感LLT和缓冲吸收电路二极管D2的正极连接。

5.如权利要求4所述的高位取能电压变换电路,其特征在于,所述高位取能设备称作电压变换电路,所述电压变换电路采用的单管反激式结构。

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