[发明专利]电容式指纹集成电路的静电损害防护结构有效
申请号: | 201110066888.5 | 申请日: | 2011-03-18 |
公开(公告)号: | CN102682271A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 谢正雄;黄振堂 | 申请(专利权)人: | 众智光电科技股份有限公司 |
主分类号: | G06K9/00 | 分类号: | G06K9/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;郭海彬 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电容 指纹 集成电路 静电 损害 防护 结构 | ||
1.一种电容式指纹集成电路的静电损害防护结构,其特征在于,包含:
复数个感测板,形成感测板数组以界定一感测区域;
一第一钝化层,覆盖在该感测板上;
一图案化静电损害防护金属层,沉积在该第一钝化层上并且具有一鱼骨状结构;
一共同导电层,在该感测区域上方围绕,并用以将静电电荷传导至外界;
一相关的信号处理电路,位于该感测板的下方,并且与该感测板电性连接;及
一第二钝化层,介设在该感测板与该信号处理电路之间;
其中该鱼骨状结构包含脊部,该脊部系在该感测板数组的一第一方向上与该感测板交替排列,该脊部系沿着一第二方向延伸,该第二方向系与该感测板数组的该第一方向垂直,并且该脊部的至少其中一端系连接至该共同导电层;
该脊部具有肋部,该肋部系从该脊部的两侧沿着该第一方向延伸并且在该第二方向上与该感测板交替排列,该肋部的末端系形成一尖锐状端点,以及
在相邻的个别脊部的肋部末端之间存在有一间隙。
2.一种电容式指纹集成电路的静电损害防护结构,其特征在于,包含:
复数个感测板,形成感测板数组以界定一感测区域;
一第一钝化层,覆盖在该感测板上;
一图案化静电损害防护金属层,沉积在该第一钝化层上并且具有一鱼骨状结构;
一共同导电层,在该感测区域上方围绕,并用以将静电电荷传导至外界;
一相关的信号处理电路,位于该感测板的下方,并且与该感测板电性连接;及
一第二钝化层,介设在该感测板与该信号处理电路之间;
其中该鱼骨状结构包含脊部,该脊部系在该感测板数组的一第一方向上与该感测板交替排列,该脊部系沿着一第二方向延伸,该第二方向系与该感测板数组的该第一方向垂直,并且该脊部的至少其中一端系连接至该共同导电层;
该脊部具有肋部以及棘刺,该肋部系从该脊部的两侧沿着该第一方向延伸并且在该第二方向上与该感测板交替排列,该肋部的末端系形成一尖锐状端点,该棘刺系从位在该第二方向上的两肋部之间的脊部的两侧沿着该第一方向延伸,以及
在相邻的个别脊部的肋部末端之间存在有一间隙。
3.如权利要求1或2所述的静电损害防护结构,其特征在于,更包含:
一第三钝化层,用以覆盖该静电损害防护金属层与该第一钝化层。
4.如权利要求1或2所述的静电损害防护结构,其特征在于,该第一钝化层具有从5μm到15μm的厚度。
5.如权利要求3所述的静电损害防护结构,其特征在于,该第三钝化层具有小于1μm的厚度。
6.如权利要求4所述的静电损害防护结构,其特征在于,该第一钝化层系由一低应力硅氧氮化物膜所形成,该硅氧氮化物膜系使用电浆增强化学气相沉积法所制造。
7.如权利要求6所述的静电损害防护结构,其特征在于,该硅氧氮化物膜具有介于1.65与1.75之间的折射率、介于6.4与6.8之间的介电常数、以及8H以上的铅笔硬度。
8.如权利要求1或2所述的静电损害防护结构,其特征在于,该静电损害防护金属层与该共同导电层系连接至一外部接地电压。
9.如权利要求1或2所述的静电损害防护结构,其特征在于,该共同导电层系连接至电源电压与接地电压之间的一外部指定电位。
10.如权利要求1或2所述的静电损害防护结构,其特征在于,该共同导电层与该图案化静电损害防护金属层为同一平面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于众智光电科技股份有限公司,未经众智光电科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110066888.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。