[发明专利]利用pn结测量LED热阻的方法及其装置

权利要求书

1.利用pn结测量LED热阻的方法，所述LED为大功率LED，其特征在于：在大功率LED中，包括一个用于测量大功率LED的芯的温度的肖特基二极管，肖特基二极管与大功率LED同在一个器件中；大功率LED组装成灯具时，利用热电偶测量散热板的温度，利用肖特基二极管测量大功率LED的芯的温度，然后通过分析计算获得灯具的温度分布及LED热阻。

2.利用pn结测量LED热阻的装置，所述LED为大功率LED，其特征在于：在大功率LED的中心区设置了一个肖特基二极管，大功率LED组装成灯具，灯具内还包括铝基电路板、用于大功率LED供电的恒流电源以及设置于铝基电路板的热电偶；大功率LED固定在铝基电路板上，热电偶与第一电压表相连；该装置还包括肖特基二极管测试系统，肖特基二极管测试系统包括电压源和第二电压表，电压源通过限流电阻与肖特基二极管相连形成回路，第二电压表与限流电阻并联或者与肖特基二极管并联。

3.根据权利要求2所述的利用pn结测量LED热阻的装置，其特征在于：大功率LED从上往下依次包括p型GaN层、InGaN/GaN量子阱层、n型高浓度GaN层、n型低浓度GaN层以及衬底，在大功率LED的中心区从上往下设有一个盲孔，盲孔的深度至InGaN/GaN量子阱层或n型高浓度GaN层或n型低浓度GaN层；在盲孔的底部，制作了肖特基二极管的正电极和肖特基二极管的负电极，在肖特基二极管的正电极上制作了肖特基二极管的正电极焊盘。

4.根据权利要求3所述的利用pn结测量LED热阻的装置，其特征在于：肖特基二极管的正电极为金属Ti/Al/Ti/Au四层结构，Au层与盲孔的底部的InGaN/GaN量子阱层或n型高浓度GaN层或n型低浓度GaN层相连接。