[发明专利]利用MOCVD梯度掺杂技术生长ZnO：B薄膜及应用

权利要求书

1.一种利用MOCVD梯度掺杂技术生长ZnO：B薄膜，其特征在于由以下步骤实现：

1）利用MOCVD技术，以玻璃基片为衬底，以纯度为99.995%的二乙基锌（DEZn）和水为原料，以硼烷（B₂H₆）作为掺杂气体，在玻璃基片上生长未掺杂B或者低掺杂B的ZnO透明导电薄膜，掺杂气体B₂H₆流量比为0%-2.0%，薄膜厚度为（500-1000）nm，基片衬底温度为130-180℃； 

2）利用MOCVD技术，以纯度为99.995%的二乙基锌和水作为原料，以硼烷（B₂H₆）作为掺杂气体，通过在未掺杂B或者低掺杂B的ZnO透明导电薄膜基础上梯度掺杂生长ZnO，制备玻璃基片/未掺杂B或低B掺杂ZnO/正常B掺杂ZnO透明导电薄膜，掺杂气体B₂H₆流量比为0%-2.0%，薄膜厚度为（500-1500）nm，基片衬底温度130-180℃。

2.根据权利要求1所述利用MOCVD梯度掺杂技术生长ZnO：B薄膜，其特征在于：所述在未掺杂B或者低掺杂B的ZnO透明导电薄膜基础上梯度掺杂生长ZnO薄膜的次数为1-4次。

3.一种如权利要求1所述利用MOCVD梯度掺杂技术生长ZnO：B薄膜，其特征在于：应用于pin型μc-Si薄膜太阳电池或a-Si/μc-Si叠层薄膜太阳电池。