[发明专利]发光二极管制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管制造方法，包括步骤：

提供基板，该基板相对两侧分别具有第一金属层及第二金属层；

开设贯穿第一金属层及基板并暴露出第二金属层的凹槽；

形成在基板相对两侧之间延伸的导通层，导通层与暴露在凹槽内的第二金属层电绝缘；

在凹槽内固定发光芯片，使发光芯片与第二金属层热导性连接；

将发光芯片电连接至暴露在凹槽内的第二金属层及导通层；及

形成覆盖发光芯片的封装层。

2.如权利要求1所述的发光二极管制造方法，其特征在于：在开设凹槽之前还包括蚀刻第一金属层及第二金属层的步骤，其中第一金属层被蚀刻形成间隔断开的第一区域及第二区域，第二金属层被蚀刻形成间隔断开的第三区域及第四区域。

3.如权利要求2所述的发光二极管制造方法，其特征在于：第一区域与第三区域相对，第二区域与第四区域相对。

4.如权利要求3所述的发光二极管制造方法，其特征在于：凹槽开设于第一区域内，第三区域暴露在凹槽内。

5.如权利要求3所述的发光二极管制造方法，其特征在于：导通层连接第二区域及第四区域。

6.如权利要求2至5任一项所述的发光二极管制造方法，其特征在于：在固定发光芯片之前还包括形成金属覆盖层的步骤，该金属覆盖层连接第一区域及第三区域。

7.如权利要求6所述的发光二极管制造方法，其特征在于：金属覆盖层覆盖第一区域及第二区域并覆盖凹槽的各内表面，发光芯片固定于金属覆盖层上。

8.如权利要求7所述的发光二极管制造方法，其特征在于：金属覆盖层还覆盖第二区域及第四区域并覆盖导通层。

9.如权利要求6所述的发光二极管制造方法，其特征在于：金属覆盖层在第一区域及第二区域间隔的位置处断开，在第三区域及第四区域间隔的位置处也断开。

10.如权利要求8所述的发光二极管制造方法，其特征在于：发光芯片通过金线连接至金属覆盖层。

11.如权利要求10所述的发光二极管制造方法，其特征在于：金线固定于第二区域上的金属覆盖层并避开导通层。

12.如权利要求6所述的发光二极管制造方法，其特征在于：金属覆盖层与第一金属层以及金属覆盖层与第二金属层之间设有金属接合层。

13.如权利要求1至5任一项所述的发光二极管制造方法，其特征在于：发光芯片的高度大于凹槽的深度。

14.如权利要求1至5任一项所述的发光二极管制造方法，其特征在于：导通层是通过在基板上形成穿孔并在穿孔内填充导电材料所形成的。