[发明专利]包括柔性基板或硬性基板的光电装置及其制造方法

权利要求书

1.一种光电装置，其特征在于，包括：

第一电极；

第二电极；

所述第一电极和所述第二电极之间依次层压的p型窗层、缓冲层、吸光层以及n型层；其中，

当所述p型窗层由氢化非晶氧化硅构成时，所述缓冲层由氢化非晶碳化硅或氢化非晶氧化硅构成；

当所述p型窗层由氢化非晶碳化硅构成时，所述缓冲层由氢化非晶氧化硅构成。

2.根据权利要求1所述的光电装置，其特征在于：所述缓冲层的氢浓度大于所述p型窗层的氢浓度。

3.根据权利要求2所述的光电装置，其特征在于：所述p型窗层和所述缓冲层的氢含量为10atomic％～25atomic％。

4.根据权利要求1所述的光电装置，其特征在于：所述缓冲层的杂质浓度低于所述p型窗层的杂质浓度。

5.根据权利要求4所述的光电装置，其特征在于：所述p型窗层的杂质浓度为1x10¹⁹cm^-3～1x10²¹cm^-3，所述缓冲层的杂质浓度为1x10¹⁶cm^-3～5x10¹⁹cm^-3。

6.根据权利要求1所述的光电装置，其特征在于：所述p型窗层的厚度为12nm～17nm。

7.根据权利要求1所述的光电装置，其特征在于：所述缓冲层的厚度为3nm～8nm。

8.根据权利要求1所述的光电装置，其特征在于：所述p型窗层的氧或碳含量为5atomic％～40atomic％；所述缓冲层的碳或氧浓度为0.5atomic％～3atomic％。

9.一种光电装置的制造方法，其特征在于，包括：

形成第一电极的步骤；

在所述第一电极上按照从光入射一侧依次层压p型窗层、缓冲层、吸光层以及n型层的方式形成p型窗层、缓冲层、吸光层和n型层的步骤；

在所述光入射一侧依次层压的P型窗层、缓冲层、吸光层以及n型层上形成第二电极的步骤；其中，

当所述p型窗层由氢化非晶氧化硅构成时，所述缓冲层由氢化非晶碳化硅或氢化非晶氧化硅构成；

当所述p型窗层由氢化非晶碳化硅构成时，所述缓冲层由氢化非晶氧化硅构成。

10.根据权利要求9所述的光电装置的制造方法，其特征在于：所述缓冲层的氢浓度大于所述p型窗层的氢浓度。

11.根据权利要求9所述的光电装置的制造方法，其特征在于：所述缓冲层的杂质浓度低于所述p型窗层的杂质浓度。

12.根据权利要求9所述的光电装置的制造方法，其特征在于：形成所述缓冲层和p型窗层时，工序腔室内流入硅烷和杂质原料气体；形成所述p型窗层时，相对于硅烷流量的杂质原料气体的流量比为5000ppm～50000ppm；形成所述缓冲层时，相对于硅烷流量的杂质原料气体的流量比为100ppm～2000ppm。

13.根据权利要求9所述的光电装置的制造方法，其特征在于：所述p型窗层的厚度为12nm～17nm。

14.根据权利要求9所述的光电装置的制造方法，其特征在于：所述缓冲层的厚度为3nm～8nm。

15.根据权利要求9所述的光电装置的制造方法，其特征在于：所述p型窗层的氧或碳含量为5atomic％～40atomic％，所述缓冲层的碳或氧浓度为0.5atomic％～3atomic％。

16.根据权利要求9所述的光电装置的制造方法，其特征在于：形成所述p型窗层时，沉积腔室内流入的硅烷浓度为4％～10％。

17.根据权利要求9所述的光电装置的制造方法，其特征在于：形成所述缓冲层时，沉积腔室内流入的硅烷浓度为0.5％～5％。

18.根据权利要求9所述的光电装置的制造方法，其特征在于：无需经过排气工序地在一个沉积腔室内形成p型窗层和缓冲层。