[发明专利]纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法无效
| 申请号： | 201110067723.X | 申请日： | 2011-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN102222572A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 王美丽;李京波;王岩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01G9/04 | 分类号： | H01G9/04;H01G9/20;H01M14/00;H01L51/48 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 阵列 多孔 复合 结构 阳极 制备 方法 | ||
1.一种纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法，包括以下几个步骤：
步骤1：取一导电基片；
步骤2：采用丝网印刷技术，在导电基片的表面印刷TiO2浆料；
步骤3：加热，使TiO2浆料中的有机溶剂挥发，得到TiO2纳米晶多孔膜，有利于染料的吸附；
步骤4：在TiO2纳米晶多孔膜上沉积ZnO晶种层3，有利于ZnO纳米线的外延生长；
步骤5：采用水热化学反应法，在ZnO晶种层上外延生长ZnO纳米线阵列，有利于光生电子的直线传输并加快电荷分离，完成ZnO纳米线阵列4和TiO2纳米晶多孔膜纳米复合光阳极的制备。
2.根据权利要求1所述的纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法，其中在导电基片上丝网印刷TiO2浆料的次数为1-5次，TiO2浆料每印刷一次，在温度为120℃时干燥5分钟。
3.根据权利要求1所述的纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法，其中对TiO2浆料层进行加热时，是采取分步升温的方式，从室温至150℃，升温速度为1-3℃/min，之后以5℃/min升温至500℃，在500℃时保持20-40分钟。
4.根据权利要求1所述的纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法，其中在TiO2纳米晶多孔膜的表面沉积ZnO晶种层时，采用的方法是磁控溅射、蒸镀或溶胶-凝胶的方法。
5.根据权利要求4所述的纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法，其中ZnO晶种层的厚度为200-300nm。
6.根据权利要求1所述的纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法，其中外延生长ZnO纳米线阵列时，采用的方法是水热化学反应法，采用的锌源为硝酸锌或醋酸锌溶液，该硝酸锌或醋酸锌溶液的浓度为50mM-100mM，该水热反应溶液的pH值为9.8-10.3，反应温度为90-120℃，反应时间为5-12小时。
7.根据权利要求1所述的纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法，其中导电基片是导电玻璃或导电塑料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110067723.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
