[发明专利]一种降低太阳能电池发射极和埋栅电极间接触电阻的方法有效

专利信息
申请号: 201110068056.7 申请日: 2011-03-22
公开(公告)号: CN102157626A 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 杨华 申请(专利权)人: 上海采日光伏技术有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 北京尚德技研知识产权代理事务所(普通合伙) 11378 代理人: 严勇刚
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 降低 太阳能电池 发射极 电极 间接 触电 方法
【权利要求书】:

1.一种降低太阳能电池发射极和埋栅电极间接触电阻的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:

A、对太阳能硅片先执行标准的制绒,扩散和去边绝缘工艺,形成所述太阳能硅片表面一层含磷的二氧化硅,然后将所述太阳能硅片侧面和背面的N型硅片完整去除;

B、使用喷墨法将光刻胶喷在所述太阳能硅片上形成图形;

C、通过等离子刻蚀未覆盖所述光刻胶的所述太阳能硅片,露出发射极,控制所述太阳能硅片表面的晶体硅层的厚度损失然后去除所述光刻胶;

D、利用剩余的所述太阳能硅片表面的二氧化硅作为掩膜层,淀积金属,金属种类可为钛,钴或者镍;

E、对所述太阳能硅片进行第一次快速热制程退火处理,退火时间10秒到2分钟,退火温度钛600-750℃,钴400-600℃,镍400-550℃;

F、去除未与所述太阳能硅片反应的金属,然后对所述太阳能硅片进行第二次快速热制程退火处理,退火时间10秒到2分钟,退火温度钛850-950℃,钴700-800℃,镍500-600℃;最后形成金属硅化物的埋栅电极;

G、在所述金属硅化物的埋栅电极制程完成后,继续进行去含磷二氧化硅、抗反射氮化膜淀积、丝网印刷以及烧结工艺,完成太阳能电池的制作。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤D中,在淀积金属之前,先采用离子注入法进行磷掺杂,形成选择性发射极。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤D中,通过化学镀或者电镀的方式淀积金属。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤C中,采用含碳氟的气体刻蚀未覆盖所述光刻胶的所述太阳能硅片。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述含碳氟的气体为CHF3,C4F8,CF4,CH2F2之一或其组合。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤C中,采用硫酸双氧水混合物或者使用氧气灰化法去除所述光刻胶。

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