[发明专利]固态摄像元件和摄像设备有效
申请号: | 201110068094.2 | 申请日: | 2011-03-22 |
公开(公告)号: | CN102208420A | 公开(公告)日: | 2011-10-05 |
发明(设计)人: | 山川真弥 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374;H04N5/225 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 摄像 元件 设备 | ||
1.一种固态摄像元件,包括:
光电转换区域,提供在每个像素中;
晶体管,为每个所述像素的所述光电转换区域而提供;
第一导电类型的隔离区域,构造为使所述光电转换区域和所述晶体管彼此隔离;
第一导电类型的阱区域,在该第一导电类型的阱区域中形成有所述光电转换区域、所述晶体管以及所述第一导电类型的隔离区域;
接触部分,形成在所述第一导电类型的隔离区域上,构造为提供用于将所述第一导电类型的阱区域固定到给定电势的电势;以及
第一导电类型的杂质区域,形成为在所述接触部分和所述光电转换区域之间的所述第一导电类型的隔离区域中自所述第一导电类型的隔离区域的表面沿深度方向延伸,并且该第一导电类型的杂质区域的杂质浓度比所述第一导电类型的隔离区域的杂质浓度足够地高。
2.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中所述晶体管至少包括传输晶体管和放大晶体管,并且除所述传输晶体管之外的晶体管形成为被多个像素的所述光电转换区域所共用。
3.根据权利要求2所述的固态摄像元件,其中所述第一导电类型的杂质区域形成的平面图案包括围绕所述晶体管的第二导电类型的区域和所述接触部分的图案。
4.根据权利要求3所述的固态摄像元件,其中所述第一导电类型的杂质区域形成的平面图案还包括在所述晶体管的第二导电类型的所述区域中连接到浮置扩散区域的第二导电类型区域和所述接触部分之间通过的图案。
5.根据权利要求3所述的固态摄像元件,其中所述晶体管的第二导电类型的所述区域中连接到各个电源的第二导电类型区域设置为分别面向所述接触部分的两侧。
6.根据权利要求1所述的固态摄像元件,还包括绝缘体,形成为覆盖所述第一导电类型的隔离区域。
7.根据权利要求2所述的固态摄像元件,还包括:
所述晶体管的第二导电类型的两个区域,设置为分别面向所述接触部分的两侧;以及
绝缘体,形成在所述第一导电类型的隔离区域的一部分上,该一部分为除了所述晶体管的设置为分别面向所述接触部分两侧的第二导电类型的两个区域之间的部分之外的部分,
其中所述第一导电类型的杂质区域形成的平面图案在所述第一导电类型的隔离区域的不具有所述绝缘体的部分中连接到所述晶体管的所述第二导电类型的两个区域并且围绕所述接触部分。
8.一种固态摄像元件,包括:
光电转换区域,提供在每个像素中;
晶体管,为每个所述像素的所述光电转换区域而提供,并且至少包括传输晶体管和放大晶体管,除所述传输晶体管之外的晶体管形成为被多个像素的所述光电转换区域所共用;
第一导电类型的隔离区域,构造为使所述光电转换区域和所述晶体管彼此隔离;
第一导电类型的阱区域,在该第一导电类型的阱区域中形成有所述光电转换区域、所述晶体管和所述第一导电类型的隔离区域;
接触部分,形成在所述第一导电类型的隔离区域上,构造为提供用于将所述第一导电类型的阱区域固定到给定电势的电势;以及
势垒,形成在所述接触部分和所述光电转换区域之间的所述第一导电类型的隔离区域中,并且提供为阻挡从所述接触部分注入的少数载流子。
9.根据权利要求8所述的固态摄像元件,其中所述势垒是在所述第一导电类型的隔离区域内的一区域,该区域形成为围绕所述接触部分以及所述晶体管的第二导电类型的区域,并且所述势垒通过引入第二导电类型的杂质而具有比第一导电类型的所述隔离区域的电势低的电势。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的