[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

宽带隙的非晶态氧化物半导体，位于所述衬底上；以及

两个金属电极，相对地位于所述非晶态氧化物半导体上。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述非晶态氧化物半导体为掺In的ZnO基半导体或其它二元或多元非晶态氧化物半导体，所述掺In的ZnO基半导体优选地包括InGaZnO、InZnO、HfInZnO、TaInZnO、ZrInZnO、YInZnO、AlInZnO、SnInZnO，所述其它二元或多元非晶态氧化物半导体优选地包括In₂O₃、ZTO、ITO、ZnO、SnO_x。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中，所述掺In的ZnO基半导体中[In]/([In]+[第三金属])的原子计数比为35％～80％，[Zn]/([In]+[Zn])的原子计数比为40％～85％。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中，各元素原子计数比为[In]∶[第三金属]∶[Zn]∶[O]＝1∶1∶1∶1或者1∶1∶1∶2或者2∶2∶2∶1或者1∶1∶1∶4。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述非晶态氧化物半导体厚度为1至10000nm。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬底包括表面为二氧化硅的硅片、玻璃、石英或塑料，所述金属电极包括Mo、Pt、Al、Ti、Co、Au、Cu。

7.一种半导体器件的制造方法，包括：

在衬底上通过磁控溅射法淀积宽禁带的非晶态氧化物半导体；以及

在所述非晶态氧化物半导体上溅射淀积相对的两个金属电极。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，所述非晶态氧化物半导体为掺In的ZnO基半导体或其它二元非晶态氧化物半导体，所述掺In的ZnO基半导体优选地包括InGaZnO、InZnO、HfInZnO、TaInZnO、ZrInZnO、YInZnO、AlInZnO、SnInZnO，所述其它二元或多元非晶态氧化物半导体优选地包括In₂O₃、ZTO、ITO、ZnO、SnO_x。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，所述掺In的ZnO基半导体中[In]/([In]+[第三金属])的原子计数比为35％～80％，[Zn]/([In]+[Zn])的原子计数比为40％～85％。

10.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，各元素原子计数比为[In]∶[第三金属]∶[ZnO]∶[O]＝1∶1∶1∶1或者1∶1∶1∶2或者2∶2∶2∶1或者1∶1∶1∶4。