[发明专利]阻变存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 201110068633.2 | 申请日： | 2011-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102694118A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 刘明;张康玮;龙世兵;谢常青;刘琦;吕杭炳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制造 方法 | ||
1.一种阻变存储器，其特征在于，所述存储器包括：
下电极；
下电极之上的第一阻变功能层，以及第一阻变功能层之上的第二阻变功能层，所述第一阻变功能层和第二阻变功能层具有相反的多数载流子类型；
第二阻变功能层之上的上电极。
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一阻变功能层的多数载流子为电子、第二阻变功能层的多数载流子为空穴，或者第一阻变功能层的多数载流子为空穴、第二阻变功能层的多数载流子为电子。
3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一阻变功能层包括n型氧化物、所述第二阻变功能层包括p型氧化物，或者所述第一阻变功能层包括p型氧化物、所述第二阻变功能层包括n型氧化物。
4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述n型氧化物包括：TiO2、ZrO2、Nb2O5、Al2O3、SnO2或ZnO。
5.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述p型氧化物包括：NiO、CuO、CoO、PCMO、LCMO、SrTiO3或BaTiO3。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的存储器，其特征在于，所述第一阻变功能层和第二阻变功能层具有相同的转变极性。
7.一种阻变存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成下电极；
在所述下电极上形成第一阻变功能层以及在所述第一阻变功能层上形成第二阻变功能层，其中，所述第一阻变功能层和第二阻变功能层具有相反的多数载流子类型；
在所述第二阻变功能层上形成上电极。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一阻变功能层的多数载流子为电子、第二阻变功能层的多数载流子为空穴，或者第一阻变功能层的多数载流子为空穴、第二阻变功能层的多数载流子为电子。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一阻变功能层包括n型氧化物、所述第二阻变功能层包括p型氧化物，或者所述第一阻变功能层包括p型氧化物、所述第二阻变功能层包括n型氧化物。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一阻变功能层和第二阻变功能层具有相同的转变极性。
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