[发明专利]一种MOS晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201110068717.6 | 申请日： | 2011-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102693915A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mos 晶体管 制造 方法 | ||
1.一种MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成图案化的掩膜层；
以所述图案化的掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体衬底以形成沟槽；
移除所述图案化的掩膜层，并在所述沟槽侧壁形成内侧墙，所述内侧墙的高度小于所述沟槽的深度；
在所述沟槽中形成锗掺杂硅外延层。
2.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述图案化的掩膜层厚度为0.015μm～10μm。
3.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述沟槽的深度为0.06μm～0.6μm。
4.如权利要求3所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述内侧墙的高度为30nm～100nm。
5.如权利要求1或4所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述内侧墙底部的厚度为3nm～100nm。
6.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述内侧墙是通过沉积或热生长绝缘介质形成的。
7.如权利要求6所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述绝缘介质为氮化硅，氧化硅或氮氧化硅的一种或多种。
8.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述锗掺杂硅外延层为均匀锗掺杂硅外延层或非均匀锗掺杂硅外延层。
9.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，在所述沟槽中形成锗掺杂硅外延层之后，还包括：
在半导体衬底内形成N/P型阱区和隔离所述N/P型阱区的浅槽隔离结构；
在所述沟槽上形成栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层和覆盖所述栅介质层的栅极；
以所述栅极结构为掩膜，在所述半导体衬底表层中进行轻掺杂源/漏区离子注入，形成轻掺杂源/漏延伸区；
在所述栅极结构两侧形成栅极侧墙；
以所述栅极结构及栅极侧墙为掩膜，进行重掺杂源/漏极离子注入，并形成源/漏极。
10.如权利要求9所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述轻掺杂源/漏区离子注入采用垂直方式或倾斜方式。
11.如权利要求9所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述图案化的掩膜层的图案与形成栅极结构时所用掩模层的图案一致。
12.如权利要求9至11中任意一项所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述内侧墙顶部至所述半导体衬底顶部的高度与所述轻掺杂源/漏延伸区的特征深度一致。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110068717.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：氢气供电模块及救生装置
- 下一篇：光电转换元件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
